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《废水生物处理原理与工艺》课程教学资源(讲义)第五讲 活性污泥系统的工艺计算与设计
文档格式:DOC 文档大小:171KB 文档页数:6
一、设计应掌握的基础资料 进行活性污泥系统的工艺计算和设计时,首先应比较充分地掌握与废水、污泥有关的原始资料并确定 设计的基础数据,主要有: ①废水的水量、水质及其变化规律; ②对处理后出水的水质要求; ③对处理中产生的污泥的处理要求; ⎯⎯以上属于设计所需要的原始资料
运城学院:《微机原理与接口技术 Principles and Application of Micro-Computer》课程教学资源(PPT课件讲稿)第11章 串行扩展技术(单片机应用系统的串行扩展)
文档格式:PPT 文档大小:1.26MB 文档页数:81
11.1 单总线串行扩展 11.1.1 单总线系统的典型应用-DS18B20的温度测量系统 11.1.2 单总线DS18B20温度测量系统的设计 11.2 SPI总线串行扩展 11.3 I2C总线的串行扩展 11.3.1 I2C串行总线系统的基本结构 11.3.2 I2C总线的数据传送规定 11.3.3 AT89S52的I2C总线系统扩展 11.3.4 I2C总线数据传送的模拟 11.3.5 利用I2C总线扩展E2PROM AT24C02的IC卡设计
中国人民大学:《统计学原理》课程电子教案(第七版)第9章 分类数据分析
文档格式:PDF 文档大小:490.98KB 文档页数:31
9.1 分类数据与X2统计量 9.2 拟合优度 检验 9.3 列联分析:独立性检验 9.4 列联表中的相关度量 9.5 列联分析中应注意的问题
机械工业出版社同名教材配套电子教案:《单片机原理及其应用》第二章 MCS-51指令系统(陈立周、陈宇编)
文档格式:PPT 文档大小:768.5KB 文档页数:24
第一节 概述 第二节 数据传送指令 第三节 算术与逻辑运算指令 第四节 控制转移指令 第五节 位操作指令
机械工业出版社同名教材配套电子教案:《单片机原理及其应用》第九章 单片机的C51编程(陈立周、陈宇编)
文档格式:PPT 文档大小:1.46MB 文档页数:77
第一节 概述 第二节 程序的格式 第三节 数据类型和存储类型 第四节 运算符和表达式 第五节 指针与函数 第六节 片内硬件资源的定义 第七节 程序的基本结构 第八节 C51程序举例 第九节 Windows环境下C51编译器的操作
北京邮电大学:《数据通信原理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十一章 差错控制编码(2/2)
文档格式:PPT 文档大小:259.5KB 文档页数:25
11.3循环码 1.循环码的基本概念 (1)定义对线性分组码C,如对任意CC,C循环左移或循环右移任意位后得到的码组C1’仍然有C1’CC,则称C为循环码。 (2)码多项式 为用代数理论研究循环码,可将码组用多项式表示,该多项式称为码多项式。 一般地,长为n的码组CC,对应码多项式T(x)式中,x;系数对应码字中C的取值
西安建筑科技大学:《大学化学 General Chemistry》精品课程教学资源(PPT课件讲稿)大学化学实验课件
文档格式:PPT 文档大小:11.99MB 文档页数:72
大学化学实验总体概况 第一章 学生实验守则 第二章 实验的程序与要求 第三章 大学化学实验的常用仪器 第四章 大学化学实验的基本操作 第五章 大学化学实验中的数据处理 第六章 实验 实验一 溶液的配制和酸碱滴定(选做) 实验二 化学反应速率与化学平衡(选做) 实验三 醋酸解离度和解离常数的测定——pH法 实验四 电解质溶液 实验五 氧化还原反应与电化学 实验六 主族元素 实验七 设计实验——混凝土溶蚀规律实验
清华大学:《数据通信原理》课程教学资源(学习讲义)超宽带无线通信技术及发展
文档格式:DOC 文档大小:42KB 文档页数:5
首先介绍了超宽带(UWB)技术的发展,然后分析了它应于无线通信系统的性能特点,包括信号调制方式、多径传播、传输速率、 接收机设计、与其它无线设备兼容和共存性等方面,最后展望了它的发展趋势和进一步研究的课题
耐热钢12Cr1MoV蠕变性能的描述和外推
文档格式:PDF 文档大小:372.26KB 文档页数:4
对广泛用于电厂主蒸汽管道的耐热钢12Cr1MoV的蠕变曲线进行了研究.将恒应力蠕变与恒载荷蠕变进行对比,证明原始的θ—ConceptProject方法可以成功地描述恒应力蠕变,但它不能用于恒载荷蠕变.根据12Cr1MoV钢的蠕变特性,提出一种修正的θ法,可以成功地描述恒应力和恒载荷蠕变曲线,从而可以利用已有大量的恒载荷蠕变数据,有效地进行的蠕变曲线的外推
单晶硅氧化动力学及氧化膜结构分析
文档格式:PDF 文档大小:1.45MB 文档页数:7
用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理
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