采用优化后的临界区再加热-淬火中温等温(T1、T2)热处理工艺,对具有不同前躯体组织的(0.22/0.17)C-(1.91/1.85)Mn-(1.32/0.94)Si两类热轧6 mm钢板分别进行处理,获得了具有铁素体、贝氏体、马氏体以及弥散分布于原奥氏体晶界、相界等处的残余奥氏体所构成的多相组织.利用扫描电镜、X射线衍射以及电子背散射衍射分析技术等对不同热处理阶段钢的微观组织进行了表征.结果证实,采用不同的前躯体组织设计可以很好地调控临界区再加热逆转变奥氏体的组织形貌、比例以及碳含量,进而通过后续处理来实现对钢中多相组织的调控.前躯体为马氏体的0.22C钢,经T1工艺后获得了以针状铁素体为基体的多相组织,其强塑积超过了30 GPa·%;前躯体为铁素体+马氏体的0.17C钢经T2工艺后获得了以块状铁素体为基体的多相组织,其强塑积超过了27 GPa·%

采用逐步熔融凝固法制备了WC-65Mn复合材料,用扫描电子显微镜观察试样的微观形貌和组织结构,并用IMAGETOOL软件分析不同试样的扫描图像,定量测定增强相WC颗粒的分布状况,同时测量材料的抗弯强度和硬度.研究证明电源功率和模具下降速率对增强相WC颗粒的分布状况和力学性能有重要的影响.电源功率应在5.5~7.5kW之间,模具下降速度为8~10mm/min

采用线性极化电阻技术和交流阻抗技术研究了锅炉水冷管材在过氧化氢溶液钝化条件下的电化学特征,结合SEM电子扫描技术对不同钝化条件下的钝化膜成膜形貌进行观察测量.实验结果表明,在柠檬酸漂洗后采用过氧化氢钝化的过程中,当过氧化氢的质量分数为0.1%,溶液pH为9.5,亚铁离子的质量浓度为100 mg·L-1且氯离子的质量浓度低于50 mg·L-1时钝化效果最好,钝化膜成膜形貌较为完整,管材抵抗外界腐蚀的能力最强

一、选 择合适答 案填入空 内 。 （ 1） 集 成运放电 路采用直 接耦合方 式是因为 。 A．可获 得很大的 放大倍数 B. 可 使温漂小 C． 集 成 工艺难于 制造大容 量电容

以CSP流程生产的含B和无B的SPHD冷轧基板为实验材料,运用拉伸实验、金相观察、SEM、TEM和EBSD手段,对比分析了两种钢的力学性能、组织、析出物、位错密度和晶体学取向的变化.研究表明:微合金元素B的加入明显使SPHD冷轧基板的铁素体晶粒粗大化,钢中有粗大的析出相粒子产生,且位错密度下降,从而引起屈服强度的降低.采用背电子散射EBSD技术分析了无B和含B钢的晶体学取向,其取向主要为大角度晶界,且无B钢中存在着大量的亚晶

针对衡钢\EAF-LF-VD-HCC\工艺生产的水平连铸管坯钢,通过运用金相显微镜、扫描电镜、EDAX 能谱仪、电子探针、电解、示踪剂跟踪法等各种分析手段及方法,对 LF 处理前后,VD 处理后,中间包钢水及连铸坯,重点是吊包钢水,中间包钢水和连铸坯所取试样中所含的显微夹杂物及大型夹杂物进行了研究.结果表明,管坯钢显微夹杂相对个数为 16.1 mm-2,大型夹杂物数量为 214.6 mg·kg-1

对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料.通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒体的预成形坯.结果表明:SiCp装载量为65%,粘结剂成分为70%PW(石蜡)+29%HPDE(高密度聚乙烯)+1%SA(硬脂酸)的喂料在较宽的剪切速率和温度范围内均具有良好的注射性能;在合适的注射参数下可以制得完整无缺陷的注射坯;采用溶剂脱脂与热脱脂两步脱脂工艺,可以成功脱除注射坯体中的粘结剂,在1150℃进行预烧结,制备出了具有良好外观形貌、足够强度以及适中连通孔隙的预成形坯,可以满足后续加压渗铝制备SiCp/Al复合材料的封装盒体实验的要求

(1)传统的设计方法 制板图(绘图工具)制作印制板(工艺流程)制印 焊接电路图测试修改电路反复确定一 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．

研究了回归及回归再时效处理对7B04铝合金预拉伸厚板的显微组织、力学性能及电导率的影响.通过透射电子显微镜(TEM)观察了回归再时效合金的微观组织,并对合金进行了力学性能及电导率测试.结果表明:采用合适的回归再时效工艺(180℃/1h,水淬+120℃/22h)可使材料具有接近T6态合金强度的同时,电导率大幅度提升,达21.0MS·m-1;此时,合金晶内组织与T6状态相似,析出相细小呈弥散分布,而晶界组织与双级T74时效组织特征相似,晶界析出相粗大呈不连续分布,晶界两侧伴之以明显的晶界无析出带