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用自制的气体吸附测试装置进行了在电场作用下镍薄膜吸附氮气和氢气的实验.氮气吸附实验结果表明,充电吸附和放电解吸过程中的电信号可准确表征气体的吸附情况.氢气吸附实验结果表明,电场可以有效提高镍电极对氢气分子的吸附作用,电场强度越大,氢气吸附量越大.在电场强度不变时,提高氢气压力会对氢气吸附量带来较弱的提高.在电场作用下,氢气分子会被极化,从而使氢气分子更容易被吸附,并且有助于形成氢团簇
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对含Hf和Ta新型镍基高温合金FGH98Ⅰ等离子旋转电极(PREP)雾化原始和不同温度下预热处理粉末中的碳化物相进行了研究.结果表明:原始粉末中MC'型碳化物可分为两类,一类为富Ti、Ta和Nb,另一类为含Ta、Hf和Zr.两类碳化物均含有一定量非碳化物形成元素Co和Ni及中等强碳化物形成元素Cr和Mo,并以块状、粒状分布于枝晶或胞晶间;随着预热处理温度升高,粉末中富Ti、Ta和Nb的MC'型碳化物转变为MC型碳化物,且其所含Ti、Ta和Nb的总量增大;含Ta、Hf和Zr的MC'型碳化物发生分解和转变,析出稳定的M23C6、M6C和MC型碳化物,M23C6碳化物的析出和溶解温度为950℃和1150℃,M23C6和M6C碳化物共存温度为1000~1100℃.另外,粉末中微量元素Hf和Ta主要以碳化物和γ'相参与碳化物反应
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对TPC(Terminal Process Control)技术在50t电弧炉上的应用与实践进行了介绍,对工艺存在的问题进行了分析并介绍了对用氧供电的控制.TPC技术的应用解决了电弧炉高铁水比例冶炼存在的水冷炉盖粘钢、冶炼周期长等工艺问题,使终点成分和温度同时命中率由67%达到91%,各项技术经济指标提升明显,供电时间每炉缩短6min,吨钢冶炼电耗降低58kW·h,电极消耗降低0.3kg,钢材的全氧含量降低
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提出同时利用聚苯胺的导电性、化学与电化学稳定性对金属进行防腐保护的设想。探索用电化学方法在不锈钢阳极上,从酸性苯胺溶液中合成致密的导电聚苯胺膜的条件。通过极化曲线测量得知,在3%NaCl和0.5mol/1H2SO4溶液中其腐蚀电位均为正值(相对于饱和甘汞电极),比不锈钢基体正移了约(0.2~0.7)V,腐蚀电流比304不锈钢或一般碳钢约小3个数量级。当电位达到0.65V(在3%NaCl溶液中)或0.9V在0.5mol/1H2SO4中),聚苯胺膜会因过氧化而溶解脱落。在1mol/1HCl溶液中,聚苯胺膜不能改善样品的耐腐蚀性能
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用一种新的擦伤电极装置来研究化学镀Ni-P合金在3.5%NaCl溶液中的再钝化行为。结果表明,Ni-P合金的再钝化动力学服从i(t)=A1exp(-C1t)+A2exp(-C2t)方程。在低电位区,Ni迅速氧化,并在表面形成稳定的氧化物NiOOH。氧化膜的生长服从高场离子传导机制;在高电位区,吸附过程迅速发生,界面上的单分子吸附膜使裸体表面电流很快衰减,吸附的H2PO2-有效地阻止了Ni位上的溶解
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为了搞清镍的钝化行为,本文用极化曲线法及交流阻抗技术,通过对纯镍在中性H3BO3-Na2B4O7溶液及添加了K3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6氧化-还原系溶液中的极化行为及交流阻抗特性的研究,讨论了钝化膜的电模型和电极反应
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单相双自耗电极串联有衬电渣炉
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采用高温热解方法成功地合成了高容量硅/碳复合负极材料.通过X射线衍射分析、热重分析、扫描电子显微镜观察、透射电子显微镜观察、恒电流充放电测试、循环伏安法等手段研究了复合材料的性能.结果表明:硅/碳复合材料由Si、C以及少量SiO2组成;硅/碳复合材料中碳的质量分数约在39%左右;经电化学性能测试,在电流0.2 m A下,该硅/碳复合材料首次充电容量768 m Ah·g-1,首次库仑效率75.6%,70次循环后可逆比容量仍为529 m Ah·g-1,平均容量衰减率为0.44%.这些性能改善归因于硅/碳复合材料中碳的引进,硅表面存在的碳涂层提供了一个快速锂运输通道,降低了电池的阻抗并且充放电过程中稳定了电极的组成
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AZ21镁合金在硫酸镁溶液中会产生表面膜,导致严重的电压滞后问题.加载脉冲电流可以减少AZ21镁合金的滞后时间,缩短放电初期时的电压降,降低平衡电压,提高放电平稳性等,有利于AZ21镁合金在电池中的应用.本文利用恒电流法、多电流阶跃法、电化学阻抗、扫描电镜等多种方法对AZ21镁合金在2 mol·L-1的MgSO4溶液的电压滞后问题进行实验研究.结果表明,经50 m A脉冲电流1 s后,AZ21的电压滞后时间可从6.35 s(3.23 V)降至0.59 s(0.034 V)
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采用划破电极技术,研究了不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中的钝化过程。不锈钢在氯化镁溶液(14%,80℃)中钝化时的真实电流衰减规律为:i(t)=C1exp(-a1t)+C2exp(-a2t)式中第一项反映吸附膜生长速度,第二项反映氧化膜生长速度。不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中钝化时膜成长的规律符合高电场离子传导的膜生长机理
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