为提高单晶硅纳米切削表面质量的同时, 不影响加工效率, 以扫描电子显微镜高分辨在线观测技术为手段, 在真空环境下开展了单晶硅原位纳米切削实验研究.首先, 利用聚焦离子束对单晶硅材料进行样品制备, 并对金刚石刀具进行纳米级刃口的可控修锐.然后, 利用扫描电子显微镜实时观察裂纹的萌生与扩展, 分析了单晶硅纳米切削脆性去除行为.最后, 分别采用刃口半径为40、50和60 nm的金刚石刀具研究了晶体取向和刃口半径对单晶硅脆塑转变临界厚度的影响.实验结果表明: 在所研究的晶体取向范围内, 在(111)晶面上沿[111]晶向进行切削时, 单晶硅最容易以塑性模式被去除, 脆塑转变临界厚度约为80 nm.此外, 刀具刃口半径越小, 单晶硅在纳米切削过程中越容易发生脆性断裂, 当刀具刃口半径为40 nm时, 脆塑转变临界厚度约为40 nm.然而刀具刃口半径减小的同时, 已加工表面质量有所提高, 即刀具越锋利越容易获得表面质量高的塑性表面

动态氧化不仅有利于含钛高炉熔渣中钛组分富集于设计相(钙钛矿相),同时还会促进钙钛矿相析出与粗化,在自然重力作用下粗化的钙钛矿实现重力富集与沉降分离.本文运用玻璃形成动力学方程,对动态氧化条件下含钛熔渣中钙钛矿相形核速率和晶体生长速率进行分析和研究.结果表明,向熔渣鼓入氧气,低价钛逐渐氧化为四价钛,促进钙钛矿析出反应的进行,提高了钙钛矿晶体生长速率.继续通入氧气则氧化时间过长,熔渣中高熔点TiC和TiN固体颗粒基本消失,黏度降低,异相形核转化为均相形核,析出温度显著降低,析晶温度区间缩短,不利于钙钛矿晶粒粗化和长大

为了降低硬件开销，越来越多的加法器电路采用传输管逻辑来减少晶体管数量，同时导致阈值损失、性能降低等问题。本文通过对摆幅恢复逻辑与全加器电路的研究，提出一种基于摆幅恢复传输管逻辑（Swing restored pass transistor logic, SRPL）的全加器设计方案。该方案首先分析电路的阈值损失机理，结合晶体管传输高、低电平的特性，提出一种摆幅恢复传输管逻辑的设计方法；然后，采用对称结构设计无延时偏差输出的异或/同或电路，利用MOS管补偿阈值损失的方式，实现异或/同或电路的全摆幅输出；最后，将异或/同或电路融合于全加器结构，结合4T XOR求和电路与改进的传输门进位电路实现摆幅恢复的高性能全加器。在TSMC 65 nm工艺下，本文采用HSPICE仿真验证所设计的逻辑功能，与文献相比延时降低10.8%，功耗延时积（Power-delay product, PDP）减少13.5%以上

通过金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)等对ZnAl10Cu2合金的铸态显微结构和相结构进行了观察和分析,并对其组织的形成机制进行了研究.研究表明:铸态ZnAl10Cu2合金的凝固组织由初生枝晶α1及其外围的棒状共晶(α2+β)组成,在随后的冷却过程中初生α1相和共晶组织中α2相均发生共析反应,得到层片状共析组织(α+η),而在室温时效中未完全转变的α1相和α2相均发生不连续沉淀形成粒状沉淀组织,其中初生α1相,为富Al相,是Zn在Al中形成的固溶体,属于强化相,晶体结构为面心立方,β为富Zn相,晶体结构为密排六方

1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型 1.3 半控型器件——晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1.5 其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路 1.6 电力电子器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点

绪论 第一节 什么是塑性加工 第二节 塑性加工的分类 第三节 塑性加工的历史 第四节 塑性加工的发展 第一章 金属塑性变形的物理本质 第一节 金属的晶体结构(Crystal structure) 第二节 位错理论基础(Dislocation theory) 第三节 单晶体塑性变形(Monocrystal plastic deformation) 第四节 多晶体塑性变形(Multi-crystal plastic deformation) 第三章 塑性加工时组织性能的变化 第一节 冷加工时组织性能的变化 第二节 热加工时组织性能的变化 第三节 冷加工退火时的回复与再结晶 第四节 热加工时的回复与再结晶

第三章 几何光学的基本原理 1 光线的概念 2 费马原理 3 单心光束、实象和虚象 4 光在平面界面上的反射和折射光学纤维 5 光在球面上的反射和折射 6 光连续在几个球面界面上的折射，虚物的概念 7 薄透镜 8 近轴物点近轴光线成象的条件 9 理想光具组的基点和基面 10 理想光具组的放大率，基点和基面的性质 11 一般理想光具组的作图求象法 第四章 光学仪器的基本原理 1 人的眼睛 2 助视仪器放大本领 3 目镜 4 显微镜的放大本领 5 望远镜的放大本领 6 光阑、光瞳 7 光能量的传播 8 物镜的聚光本领 9 助视仪器的分辨本领 10 分光仪器的分辨本领 第五章 光的偏振 1 自然光与偏振光 2 平面偏振光与部分偏振光 3 光通过单轴晶体时的双折射现象 4 光在晶体中的波面 5 偏振元件 6 椭圆偏振光和圆偏振光 7 偏振态的实验检定 8 偏振光的干涉 9 旋光现象 第六章 光的传播速度 1 测定光速的实验室方法 2 光的相速度和群速度

第一章 几何光学 本章基本要求 专题 1.1 光的反射 全反射 专题 1.2 光的折射 专题 1.3 光学成像 专题 1.4 光具组成像 光学作图 作业习题与解答 第二章 波动光学基础 专题 2.1 光波 光波的叠加 专题 2.2 光的横波性 偏振 第三章 光的干涉 专题 3.1 分波前干涉 专题 3.2 分振幅干涉 专题 3.3 光的时空相干性 第四章 光的衍射 专题 4.1 光的衍射 Fresnel 衍射 专题 4.2 Fraunhofer 衍射 专题 4.3 衍射光栅 第五章 晶体偏振光学 专题 5.1 双折射 晶体光学器件 专题 5.2 偏振光的获得与检验 第六章光的散射 第七章光的量子性 模拟试卷 参考答案 全书例题参考答案索引

采用低温固相反应法制备了直接甲醇燃料电池用PtSn/C阳极催化剂,采用XRD、TEM等测试方法对催化剂的晶体结构和粒径大小进行了表征.结果表明:采用低温固相反应法制备的PtSn/C催化剂和Pt/C催化剂均表现为Pt的fcc晶体结构;Sn的加入导致Pt的晶胞参数增大;与同法所制Pt/C催化剂相比较,PtSn/C催化剂中金属Pt在碳载体上分布较均匀,金属粒子的粒径较小,平均粒径约为4.8nm,从而具有更大的反应表面积.电化学测试表明,对于甲醇电氧化,PtSn/C催化剂具有比Pt/C催化剂更强的催化能力

1. 熟悉配位化合物的基本概念、组成和命名； 2. 熟悉配位化合物的价键理论，会进行一般配离子结构判断和磁性计算； 3. 理解晶体场理论的要点，弄清八面体场、四面体场和平面四边形场中 d 轨道的分裂；理解分裂能和晶体场稳定化能概念; 4. 了解配位化合物顺反异构和旋光异构概念，初步学会上述两种异构体的判断； 5. 熟悉配位实体热力学稳定性中的有关概念。 7.1 相关的定义和命名 The relating definitions and nomenclature 7.2 配合物的化学键理论 Chemical bond theory of coordination compound 7.3 配位化合物的异构现象 Isomerism of coordination compound 7.4 配位实体的热力学稳定性 Thermodynamic stability of the coordination entity 7.5 配位实体的某些动力学问题 Some kinetic questions of the coordination entity