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一、用系统命名法命名下列化合物:
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1适用范围 本方法适用于测定原水、饮用水、废水中溶解的个别的或总的元素含量。包括:铝、锑、 砷、钡、铍、铋、硼、镉、钙、铬、钴、铜、铁、铅、锂、镁、锰、钼、镍、磷、钾、硒
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1、讨论锂、硼、硅及过渡元素的有机化合物。 2、结合前面已学过的有关镁、磷、硫等元素有机化合物的知识,使我们对元素有机化学有一个初步的认识
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第一节 慢性阻塞性肺疾病 COPD 第二节 慢性肺源性心脏病 chronic cor pulmonle or pulmonary heart disease 第三节 肺硅沉着症 silicosis 第六节 呼吸系统常见肿瘤
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第一节土壤胶体(soil colloid)的表面性质 一、土壤胶体表面类型 (一)硅氧烷型表面 (二)水合氧化物型表面 (三)有机物表面
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功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)
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一、电子结构和成键特征
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一、电子结构和成键特征
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近年来,随着深亚微米工艺的出现,硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道,片上系统(system on chip)今天已从概念成为现实。然而,在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事
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第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立
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