第一节MOS管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的, β值越大,其驱动能力越强。多个管子的串、 并情况下,其等效导电因子应如何推导?

第一节信号传输延迟 数字电路的延迟由四部分组成: 门延迟 连线延迟 扇出延迟 大电容延迟 一、CMOS门延迟:

结构化设计是由Mead和 Conway首先提出来 的,其目的是让设计者能够直接参加芯片 设计以实现高性能系统。在结构化设计中 采用以下几方面的技术

一、片上系统SOC的优势 1、高性能 2、低功耗 3、体积小 4、重量轻 5、成本低

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

一、实验目的 1.利用辅助设计工具 Myanalog中的工具 Sched和 Myspice实现一个预算 放大器电路并对其进行计算机模拟分析,了解其电路输入输出在不同工作频率 下的关系。 2.熟悉并初步掌握上述工具软件的使用方法

一、实验目的 1.进一步熟悉辅助设计工具My Analog中工具 Sched和 My spice 2.熟悉利用生成的Symbol子电路构建复杂电路的方法。 二、实验内容 先用图形编辑工具 Sched实现与非门子电路,通过电路检查模拟,确认正 确后生成子模块符号 Symbol,并用该符号组成九级环形振荡电路,模拟后求出 振荡的波形

第一节M管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子B来表示的,值越大,其驱动能力越强。单个管 子是如此,对于多个管子的串、并情况下,其等效导电因子应如何推导?下面我们来具体 分析一下: 一、两管串联: 设:V相同,工作在线性区

近年来，随着深亚微米工艺的出现，硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道，片上系统（system on chip）今天已从概念成为现实。然而，在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事

集成电路的封装方法 双列直插式(DP: Dual In-line- Package) 表面安装封装(SMP: Surface Mounted Package) 球型阵列封装(BGA: Ball Grid Arrag) 芯片尺寸封装(CsP: Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(LP: Wafer Level CSP) 薄型封装(PtP: Paper Thin Package) 多层薄型封装(Stack PTP) 裸芯片封装(co, Flip chip)