运用光弹调制器和锁向放大器作为主要的光电子仪器,搭建磁光克尔效应实验系统,将平行和垂直磁场应用于纵向磁光克尔(Kerr)效应,用来分析薄膜正交方向磁矩随磁场翻转的情况.应用此方法,研究了在不同衬底上用磁控溅射方法制备的Co(2.7nm)/Cu(2nm)/Co(2.7nm)三层膜的磁性及磁矩翻转,探索其耦合机理.衬底与间隔层Cu层表面结构的差异,诱导了底层Co与表面层Co结构的差异,导致底层和表面层Co膜的矫顽力不同,从而实现了两铁磁层的磁矩翻转不一致

透射电子显微镜成像时,电子束是透过样 品成像。由于电子束的穿透能力比较低, 用于透射电子显微镜分析的样品必须很薄 根据样品的原子序数大小不同,一般在 50~500nm之间。制备透射电子显微镜分析 样品的方法很多,这里介绍几种常用的制 样方法

综述了BaCeO3基和SrCeO3基钙铁矿型固体电解质.从结构、不同气氛中导电性方面进行了介绍,对其应用方面进行了较为详细的分析.在燃料电池、电解池、薄膜反应器、气体传感器等方面的应用分析表明这2类固体电解质有广泛的应用前景

本文结合太阳帆飞行环境的特点,介绍了太阳帆的基本结构和飞行原理,重点针对目前几种比较典型的太阳帆设计,对其支撑材料以及帆面薄膜材料进行了综述,并分析了各种材料和设计的性能特点

利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在

一,光的干涉 1 理解相干光的条件及获得相干光的方法. 2 掌握光程的概念以及光程差和相位差的关系，理解在什么情况下的反射光有相位跃变. 3 能分析杨氏双缝干涉条纹及薄膜等厚干涉条纹的位置

在破碎带岩层开挖时,顶板极易垮落,通常采用超前锚杆加固来做辅助支护.为了研究工程围岩超前锚杆加固机理及其位移变化规律,把这种开挖形成的拱看成有几何缺陷的圆弧拱.以武平紫金矿业230斜坡道在破碎带中超前锚杆加固为工程实例,利用屈曲理论及薄膜理论对其位移的变化进行了力学分析,完善了前人对这种加固拱简化的问题

一、光的干涉 1理解相千光的条件及获得相干光的方法. 2掌握光程的概念以及光程差和相位差的关系,理解在什么情况下的反射光有相位跃变. 3能分析杨氏双缝干涉条纹及薄膜等厚干涉条纹的位置. 4了解迈克耳孙干涉仪的工作原理

第一章 硅的基本性质 第二韋 硅的提纯 第三章 晶体生长原理和基本技术 第四章 硅的体单晶生长和硅片加工 第五章 硅和硅基薄膜的外延生长 第六章 硅材料的测试与分析 第七章 硅中的缺陷 第八章 硅中的杂质

一、光的干涉 1理解相千光的条件及获得相千光的方法. 2掌握光程的概念以及光程差和相位差的关系,理解在什么情况下的反射光有相位跃变. 3能分析杨氏双缝干涉条纹及薄膜等厚干涉条纹的位置. 4了解迈克耳孙干涉仪的工作原理