《电磁学》教学计划 《普通物理学》第五版 第八章真空中的静电场 8-1电荷库仑定律 8-2电场电场强度 8-3高斯定理 8-4静电场的环路定理电势 8-5等势面电势梯度

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

一、电场强度E定义 1.电场 (1)相互作用的传递 对物体间的作用,自古以来存在着两种作用的争论超距作用:不需要任何媒介,也不需要时间的传递

一、电场线(电场的图示法) 电场线(electric field line)又称电力线electric line of force)规定 1)曲线上每一点切线方向为该点电场方向 2)通过垂直于电场方向单位面积电场线数为该点

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

一、静电场力做功:与路径无关~静电场力是保守力 用库仑定律和叠加原理证明 ①点电荷的场中移动点电荷0

§12-1 静电场中的导体(金属导体) §12-2 静电场中的空腔导体 §13-1 电介质的极化 §13-2 极化强度和极化电荷 §13-3 电介质中的静电场 §13-4 电位移矢量 §12-3 电容器和它的电容 §12-4 传导电流 §12-5 电源的电动势 §13-6 电场的能量

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络