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第一章 晶体二极管 第二章 晶体三极管 第三章 场效应管
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静电屏蔽 在静电平衡状态下
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研究问题:从基本的静电现象出发,讨论静电场的描写方法和基本规律,进而建立静电场的基本方程式
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习题讨论课 一、真空中的静电场 二、导体与电介质
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这一阶段学习的主要内容有: 1.库仑定律 2.电场强度
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本节讨论结型场效应管JFET和金属-氧化物-半导体构成的绝缘栅场效应管MOSFET
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场效应管用FET表示(Field Effect Transistor)。具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点
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1. 传输线与信号完整性 2. 远场和近场 3. 串扰耦合的基本概念 4. 串扰耦合的预测方法
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补充内容:拉普拉斯运算 标量场的拉普拉斯运算 对标量场的梯度求散度的运算称为拉普拉斯运算。记作:
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从基本的静电现象出发,讨论静电场的描写方法和基本规律,进而建立静电场的基本方程式
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