具体说来,理论已经解释了这一事实,即就一阶效应而言,介 质和观察者相对于以太的共同速度对现象没有影响3) 但是当涉及二阶效应时,迈克尔逊干涉仪实验4)的否定 结果给理论造成了很大的困难.为了消除这些困难,洛伦兹 和 Fitz-Gerald5各自提出了假设:当物体以平移速度v移动 时,会改变它们的线度.这种沿运动方向的线度改变是由因 子x√1-(02/02)决定的,其中x为相应的作横向线度改变

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

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