采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu由金属多层膜.在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化.在Cu层厚度tcu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×104 A/m和8×103 A/m,低温下(77K)磁电阻为对33.2%和27.6%.系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响.用真空退火方法对样品进行热处理,发现多层膜的磁电阻性能有明显改变

例检验两批灯泡的质量,从中分别随机抽样只,测得使用寿命如下: A:2000150010005001000;B:1501500100010001000 (单位:小时),试比较这两批灯泡质量的好坏. 计算得:平均寿命分别为:A:1200,B:1200

何谓单片机一台能够工作的计算机要有这样几个 部份构成:CPU(进行运算、控制)、RAM(数 据存储)、ROM(程序存储)、输入/输出设备 (例如:串行口、并行输出口等)。在个人计算 机上这些部份被分成若干块芯片,安装一个称之 为主板的印刷线路板上。而在单片机中,这些部 份,全部被做到一块集成电路芯片中了,所以就 称为单片(单芯片)机,而且有一些单片机中除 了上述部份外,还集成了其它部份如A/D,D/A 等

如果线性方程组的系数行列式不为零,即det(A)≠0, 则该方程组有唯一解。由克莱姆(cramer)法则,其解为 det() (i=1,2,…n det(A) 这种方法需要计算n+1个n阶行列式并作n次除法,而每个 n阶行列式计算需作(n-1)n!次乘法,计算量十分惊人

1:若方程y+p(x)y=0的一个特解为y=cos2x则该方程满足初值条件y(0)=2的 特解为() A cos 2x+2 B cos 2x+1 C2 coS x cos 2X 答案D 解:将y=cos2x代入方程求出函数p(x)再求解方程得到正确答案为D.也可以作 如下分析一阶线性齐次方程 y+p(x)y=0任意两个解只差一个常数因子所以A,B,C三个选项都不是该方程的解 2微分方程“卫

第一次任务 ----用单片机点亮一只发光二极管LED 第二次任务 --用单片机实现按键控制LED灯亮 第三次任务 --访问外部数据存储器及循环程序编制 第四次任务 --算术运算指令和状态寄存器PSW 第五次任务 --多分支（散转）程序 第六次任务 --串行口与查表程序 第七次任务 --编程实验 第八次任务 --外部中断方式控制LED 第九次任务 --串行通信 第十一次任务 --用TTL芯片扩展并行I/O口 第十一次任务 --用TTL芯片扩展并行I/O口 第十二次任务 --并行接口8255控制交通灯 第十三次任务 --A/D、D/A转换

第一部分公式体系及其解释 第一章量子论的起源 第二章物质波与薛定谔方程 第三章一维量子化体系 第四章 统计解释与测不准关系 第五章 波动力学的发展及其解释 第六章 经典近似与WKB方法 第七章 量子论的一般形式(A)数学框架 第八章 量子论的一般形式(B)物理内容 第二部分简单体系 第九章分离变量中心势 第十章散射问题相移 第十一章库仑相互作用 第十二章谐振子

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