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复旦大学:《设计性研究性物理实验》学生论文_改建CVD系统制备金刚石薄膜
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主要内容 一、相干光 二、杨氏双缝干涉实验 三、双镜劳埃德境 四、光程薄膜干涉 五、劈尖牛顿环 六、迈克尔孙干涉仪
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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术
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晶体的缺陷 金属 半导体/超导体 薄膜/界面/多孔材料 多聚物/Ps化学 纳米材料/巨磁阻/量子点
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17-3 光程 薄膜干涉 17-4 劈尖 牛顿环 17-5 迈克耳孙干涉仪
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高等教育出版社:《物理学教程》教材电子教案(PPT课件,马文蔚第四版)第十七章 波动光学 17-03 光程、薄膜干涉
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《普通物理学》课程教学资源(PPT课件)第十二章 几何光学 12-5 薄膜干涉
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上海交通大学:《大学物理教程》课程电子教案(课件讲稿)第20章 光的干涉和衍射 20.3 薄膜干涉
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