一、外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层

一、光程 光在真空中的速度c=1s= 光在介质中的速度=1/√ec-n

一、薄膜干涉 我们知道,两束光产生干涉的条件(又称相干条件)为: (1)频率相同;(2).相位差恒定;(3).光矢量振动方向相同我们讲的薄膜指的是由透明介质形成的厚度很薄的一层介质膜

复旦大学：《设计性研究性物理实验》学生论文_改建CVD系统制备金刚石薄膜

1.薄膜干涉 2.迈克耳孙干涉仪 3.光波场的时间相干性

复旦大学：《材料物理——材料力学 Mechanics of materials》教学课件_第十一章 材料力学在微结构中的应用——柔性薄膜材料

第二十一章光的干涉 21—1相干光 21—2双缝干涉 21—-3薄膜干涉 21-4迈克耳逊干涉仪

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

主要内容 一、相干光 二、杨氏双缝干涉实验 三、双镜劳埃德境 四、光程薄膜干涉 五、劈尖牛顿环 六、迈克尔孙干涉仪