3.3.1 概述 3.3.2 TTL集成电路逻辑门 3.3.3 CMOS集成电路逻辑门 3.3.4 集成电路门的性能参数 3.3.5 TTL 与CMOS集成门的接口 3.3.6 逻辑门带其他负载的接口电路

1.掌握MOS管等效电路;会用等效电路分析放 大电路。 2.掌握E/D、E/E、CMOS单级放大电路的电路 形式、特点、特性

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性：与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

Simplistic Model Physical Structure Threshold Voltage Long Channel Current Equations Regions of Operation Transconductance Channel Length Modulation CMOS Processing Technology MOS Layout Device Capacitances Device Capacitances Passive Devices Small Signal Models Circuit Impedance Equivalent Transconductance Short-Channel Effects Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) Effects of Velocity Saturation Hot Carrier Effects

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

3.1 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 3.1.1 理想开关的开关特性 3.1.2 半导体二极管的开关特性 3.1.3 半导体三极管的开关特性 3.1.4 MOS管的开关特性 3.2 分立元器件门电路 3.2.1 二极管与门和或门 3.2.2 三极管非门（反相器） 3.3 CMOS集成门电路 3.3.1 CMOS反相器 3.3.2 CMOS与非门、或非门、与门和或门 3.3.3 CMOS与或非门和异或门 3.3.4 CMOS传输门、三态门和漏极开路门 3.4 TTL集成门电路 3.4.1 TTL反相器 3.4.2 TTL与非门、或非门、与门、 3.4.3 TTL集电极开路门和三态门 3.4.4 TTL集成电路和其他双极型集成电路

• 带隙电压基准的基本原理 • 常用带隙电压基准结构 – PTAT带隙电压基准 – 运放输出电压基准 • 基准电路的发展方向 • PTAT带隙电压基准的设计 • 优化温度特性 • 实训

对于 NMOS，B 通常接地；当 时，电子被吸引到栅极下面，形成导电通 道；对于 PMOS，B 通常接正电源；当 时，空穴电子被吸引到栅极下面， 形成导电通道；