2-1典型TTL与非门工作原理 2-2其它类型TTL门电路 2-3ECL集成逻辑门 2-4PL集成逻辑门 2-5mos集成逻辑门 2-6接口问题

一、选择填空 (x2 1、已知lim-ax-b=0,则( ) x→x+1 (A)a=1,b=1(B)a=-1,b=-1(C)a=-1,b=1(d)a=1b=-1 2、函数f(x)=x(x2-3x+2)(x+2)有()个不可导点。 (A)1(B)2(C)3(D)4 3、设f(x)=x(x-1)(x-2)…(x-2004),则f(0)=() (A)-2003(B)-2004(C)2003(D)2004 4、设f(x)={sin≠0

(1)、输入端悬空,Vcc经R1、T1的C结向T2、T3提供基流 T2、T3饱和导通,而T4、D截止,Vo=Vcs3=VL (2)、输入端接>2V电源,设对应的T1e结导通,则V>2.7V ∴-T2、T3饱和导通-Vo=VoL (3)、输入端接同类与非门输出高电平+3.6V——+Vcc经R T1的C结向T2、T3提供基流--T2、T3饱和导通 (4)、输入端接10K电阻到地,若设对应的e结导通,则 输入端相当于接+3V高电平

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

例题4已知图示的电路中,电动势E1=3.0V,ε2=1.0V, 内阻=0.5Q2,2=1.0Q,电阻R1=10.0Q2,R2=5.0Q2, R3=4.5Q2,R4=19.0,求电路中电流的分布

用抛光的恒位移试样对不同钢种、不同强度的高强钢在水介质中应力腐蚀裂纹的产生和扩展进行了金相跟踪观察。结果表明:超高强钢(σb ≥ 160公斤/毫米2的30CrMnSiNi2A,ZG-18铸钢)应力腐蚀时,裂纹前端塑性区逐渐扩大,闭合后形成不连续裂纹,以后随塑性区中变形量增大主裂纹扩展並与新裂纹相连。当强度降低时,(σb ≤ 138公斤/毫米2的30CrMnSiNi2A,40CrNiMoA,30CrMnSiA)塑性区随时间增大,但不闭合,随其变形量增大,原裂纹沿弹塑性边界向前扩展。强度更低(σb同样试样在电解充氢条件或干氢条件下,加载裂纹前端同样能产生滞后塑性变形,而且裂纹产生和扩展的情况完全和水介质中类似。由此可知,裂纹前端滞后塑性变形是由氢引起的。高强钢或超高强钢在水介质中应力腐蚀的机构如下:阴极放氢,它进入裂纹前端引起滞后塑性变形,从而导致裂纹的产生和扩展

1.试说明为什么 Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+的水合热依次减弱？ 2.某酸性BaCl2 溶液中含少量FeCl3 杂质。用Ba(OH)2 或BaCO3 调节溶液的pH值，均可把Fe3+沉淀为 Fe(OH)3 而除去。为什么？利用平衡移动原理进行讨论

§2－1 电阻单口网络 §2 - 2 电阻的星形联接与三角形联接 §2－3 网孔分析法 §2－4 结点分析法 §2－5 含受控源的电路分析 §2－6 电路分析的基本方法

1、用氧化数法配平并完成下列氧化还原反应方程式 ① KMnO4+H2C2O4+H2SO4 —→ MnSO4+CO2+K2SO4 ② − − + BrO3 + Br + H —→Br2+H2O

5.1 概述. 2 5.1.1 什么是分类.2 5.1.2 分类的一般步骤.3 5.2 Rocchio 方法. 4 5.3 k-近邻法. 5 5.4 决策树方法. 6 5.4.1 决策树的概念.6 5.4.2 属性选择度量.6 5.4.3 决策树的常用算法.10 5.5 贝叶斯方法. 11 5.5.1 贝叶斯原理.11 5.5.2 朴素贝叶斯分类.11 5.6 分类结果评估. 13 5.6.1 常用评估度量.13 5.6.2 文本分类的评估.14 5.7 自动分类的案例与软件操作. 15 5.7.1 决策树案例（SPSS Modeler） .15 5.7.2 决策树案例（R 语言）.19