4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

2.2 数据通信的基础知识 2.2.1 数据通信系统的模型 2.2.2 有关信道的几个基本概念 2.2.3 信道的极限容量 2.2.4 信道的极限信息传输速率 2.3 物理层下面的传输媒体 2.3.1 导向传输媒体 2.3.2 非导向传输媒体 2.4 信道复用技术 2.4.1 频分复用、时分复用和统计时分复用 2.4.2 波分复用 2.4.3 码分复用 2.5 数字传输系统 2.6 宽带接入技术 2.6.1 xDSL技术 2.6.2 光纤同轴混合网（HFC 网） 2.6.3 FTTx 技术

3.1信源及其分类 3.2离散无记忆信源的等长编码 3.3离散无记忆信源的不等长编码 3.4最佳不等长编码

1. 信息获取自由与信息能力 2. 信息资源 3. 信息资源的获取 4. 学术信息评价的工具

2.1 信号时域特征的获取方法 2.2 信号与数据的插值方法及实现 2.3 信号与数据的拟合方法及实现 2.4 数值微分和数值积分及实现 2.5 时域信号的平滑与建模方法及实现 2.6 MATLAB在时域分析与处理中的应用

一．什么是信息系统 二．当前信息安全的现状 三．什么是信息安全 四．信息安全学科体系 五．我国信息安全类专业设置状况 六．应用型信息安全专业知识体系 七．应用型信息安全类专业实践能力体系

第一节信号的分类与描述 第二节周期信号与离散频谱 第三节非周期信号与连续频谱瞬变 第四节随机信号

一、社交书信(Letters of Social Activities) 社交书信包括的内容很多,如邀请信、推荐信、介绍信、证明信、贺信、感谢信等等。写社交书信时切记如下几点: (1)所有的社交书信都有明确的目的。因此,写社交书信时要一矢中的。 (2)不要写不相干的事

第一节 信用的产生与发展 第二节 高利贷 第三节 现代信用活动的基础 第四节 现代信用的形式 第五节 信用与股份公司 （自行阅读）

被测信号经传感器转换成电信号，通常要经过调理和处理，以提高信噪比，并把信号转换成更便于处理或供人工观察。 电桥处于近似平衡状态运行，具备： 1、增加动态范围； 2、共模信号抑制； 3、桥臂温漂平衡； 4、增加灵敏度；