氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

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采用动电位扫描、循环伏安法以及交流阻抗等方法,研究了从柠檬酸盐体系中电沉积铜镍纳米多层膜的电沉积机理。研究结果表明:在研究体系中铜的沉积是扩散控制的电极过程,而镍的沉积则是首先形成类似Ni(OH)ads的吸附中间产物,而后在电极上进一步还原为原子态

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利用固体与分子经验电子理论,对奥氏体中含合金元素γ-Fe晶胞的价电子结构进行了计算分析.结果表明,合金元素溶入γ-Fe晶胞后,其价电子结构发生了较大变化,Fe原子杂化态向较高杂阶迁移,其相结构因子均有不同程度的增加.同时晶胞内形成了由强键组成的八面体结构,阻碍了原子的移动,使得γ-Fe晶胞在相变过程中产生\类拖曳效应\,提高过冷奥氏体的稳定性,亦会延缓马氏体相变的进程