一 填空 单片机与普通计算机的不同之处在于其将（ ）（ ）和（ ）三部分集成于一块芯片上。 答：CPU、存储器、I/O 口 8051 与 8751 的区别是：答：内部程序存储器的类型不同 在 MCS－51 单片机中，如果采用 6MHz 晶振，1 个机器周期为（ ）。答：2us。 内部 RAM 中，位地址为 30H 的位，该位所在字节的字节地址为（ ）。答：26H 若 A 中的内容为 63H，那么，P 标志位的值为（ ）

采用交流阻抗技术对化学镀Ni-P合金的沉积过程进行原位测定,所获得的Nyquist阻抗图上出现感抗圈。综合交流抗击以及还原剂浓度影响研究结果,提出一个包括H2PO2-离子表面吸附步骤的化学镀镍电化学机理

分析了InP1-InP2优势区相图及E-pH图的特点,提出了用q函数和p函数作为确定优势区的判别准则。这种方法很容易编制程序,且易推广到其他类型,具有较强的通用性

为满足新国家标准对铱标准样品的要求,研制出用于光谱分析的高纯铱基体.通过实验研究,确定了高纯铱基体研制的工艺流程为P204萃取除去贱金属阳离子→N235萃取除去以络合阴离子存在的贵金属杂质→H2还原除铑及其他金属杂质→732#树脂交换除去痕量的贱金属阳离子→NH4Cl沉淀铱、H2还原铱→HF除硅.研制出的铱基体纯度高达99.999%.实验研究全流程铱的直收率为61.99%,铱的总收率为95.26%

采用人工植入Al2O3夹杂物的试样,通过SEM原位观察及非线性有限元分析,研究了在单轴拉伸条件下P/M Rene 95合金中夹杂物与基体的相互作用机理.结果表明,不同尺寸及位置的夹杂物对拉伸进程影响不同;夹杂物/基体界面的裂纹萌生及扩展取决于界面附近基体材料的应力状态

选用文献报道的14个渣系铁氧化物活度aFetO作为基础实验数据,验证了基于炉渣离子-分子共存理论(IMCT)所定义的铁氧化物综合质量作用浓度NFetO表征炉渣氧化性的可能性和精度.为了得到14个渣系的NFetO,建立了CaO-SiO2-MgO-FeO-Fe2O3-MnO-Al2O3-P2O5渣系的IMCT-Ni模型,其他13个渣系NFetO可由该渣系的IMCT-Ni模型经简化得到.结果表明,铁氧化物综合质量作用浓度NFetO不仅可像活度aFetO一样表征炉渣氧化性,而且比实测aFetO精度更高

本文研究了以液-液萃取法从离子吸附型稀土矿的(NH4)2SO4浸出液中提取稀土的工艺条件,试验结果表明,对含RE2O33g/l的稀土浸出液,以P204(二2-乙基已基磷酸)为萃取剂,以5N盐酸为反萃液最终的富集液可达到130g/l左右,此液经过浓缩蒸发可得到固体氯化稀土结晶

以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值

研究了两种不同类型(黄铁矿型,斑岩型)黄铜矿生物浸出的差异.实验结果表明:两类黄铜矿生物浸出差别很大,48 d后黄铁矿型黄铜矿浸出率为46.96%,斑岩型黄铜矿浸出率为14.5%.对Fe2+、矿物表面Cu2p谱图和矿床特征的分析发现:适量的Fe2+能促进黄铜矿的浸出,但最佳用量不一样;浸渣表面产物不同,斑岩型黄铜矿表面出现富铜层,阻碍了浸出继续进行;与原矿相比,铜结合能都降低,符合Hiroyoshi等提出黄铜矿浸出的两步溶解模型;两类黄铜矿生物浸出的差异是由成矿岩体、围岩、伴生矿物和元素、成矿温度和压力等因素综合决定的

通过对板坯逐层刨钢屑,采用化学分析和低倍组织检验的方法,研究了板坯连铸机二冷区电磁搅拌频率参数对1450mm×230mm板坯中心偏析和等轴晶率的影响.结果表明:单独采用二冷区电磁搅拌相比不采用电磁搅拌工艺的板坯中心偏析程度明显减轻,C、P、Mn的中心正偏析系数低于无电磁搅拌工艺的板坯;电磁搅拌频率为2Hz,5Hz和8Hz时板坯中心偏析都为B0.5级;电磁搅拌频率对中心等轴晶率略有影响,搅拌频率5Hz的情况下等轴晶率最大