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溶胶-凝胶技术提高不锈钢抗高温氧化及铝合金阳极氧化膜的耐蚀性能
文档格式:PDF 文档大小:912.26KB 文档页数:9
采用溶胶-凝胶法在不锈钢基体表面制备ZrO2和Al2O3涂层,并对铝合金阳极氧化膜进行封孔处理.采用高温循环氧化法研究ZrO2和Al2O3涂层抗高温氧化性能,通过电化学阻抗谱和剥蚀法分析溶胶-凝胶法封孔后铝合金氧化膜的耐腐蚀性能.结果表明:ZrO2和Al2O3涂层的抗高温氧化性能随涂层厚度增加而提高;铝合金阳极氧化膜的耐腐蚀性能也随封孔次数的增加而提高,但当封孔处理超过8次后,阻抗值和腐蚀程度基本不随封孔次数发生变化;实施相同次数封孔处理后,Al2O3溶胶的封孔效果略优于ZrO2溶胶的封孔效果
《化工原理》课程教学资源(教程讲义)第七章 吸收
文档格式:PDF 文档大小:388.14KB 文档页数:22
吸收过程概述 7-1吸收定义与工业背景 在合成氨工厂,合成氨的原料气中含有30%CO2,如何将CO2从原料气中分离 在焦化厂,焦炉气中含有多种气体,如CO,H2,NH3,苯类等,如何将NH3从焦炉气 中分离? 在硫酸厂,硫铁矿经焙烧氧化,可以得到SO3,如何由SO3制造硫酸? 为了解决上述问题,化学工程师提出了一种化工单元操作吸收。 什么叫吸收操作?——利用组成混合气体各组分在溶剂中溶解度不同,来分离气体混 合物的操作,称为吸收操作
华东理工大学:《物理化学》课程教学资源(习题解答)第2章 热力学定律和热力学基本方程
文档格式:PDF 文档大小:238.34KB 文档页数:25
1.27℃时,5 moI Nh3(g)由5dm3恒温可逆膨胀至50dm3,试计算 体积功。假设NH3(g)服从范德华方程
西北工业大学:《材料力学》课程电子教案(PPT教学课件)第三章 剪切
文档格式:PPT 文档大小:2.1MB 文档页数:23
第三章剪切 3-1连接件的强度计算 3-2纯剪切切应力互等定理剪切胡克定律 3-3剪切应变能
南京航空航天大学:《3DS max软件介绍》教学资源(PPT课件讲稿)第一讲 三维设计及其软件(主讲:黄念一)
文档格式:PPT 文档大小:3.03MB 文档页数:22
一、本课程学习要求和方法 二、三维设计及其软件简介 三、3 3DS MAX概述 四、3 DS MAX基本操作(一) 五、创建几何造型(一)
考虑围岩松动圈支护体影响的深埋圆形隧道衬砌优化设计
文档格式:PDF 文档大小:379.97KB 文档页数:5
首先考虑围岩松动圈支护体的影响,在完全接触条件下,根据弹塑性力学理论,推导出深埋圆形隧道每层衬砌切向应力和径向应力分量的解析解;然后根据混凝土和围岩材料受力状态的不同,选用不同的破坏准则,引入功能梯度材料思想,构建了不同弹性模量双层混凝土圆形衬砌优化设计的目标函数,即当目标函数为最小值时,Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ层结构同时接近或达到预设破坏状态,在设计上才最为合理;最后对衬砌材料的弹性模量和衬砌厚度分别进行了优化设计.算例分析表明:(1)随着围岩应力的增大,E2/E1和E2/E3都减小.在相同大小的围岩应力作用下,总有E2/E1E2/E3时所求得的Ⅰ层衬砌最优厚度总是小于E2/E1
清华大学:《圆明园东部湖底防渗工程环境影响报告书》项目环境影响评价(报批稿)第三部分 区域环境概况
文档格式:PDF 文档大小:836.38KB 文档页数:13
3 区域环境概况与圆明园水系变迁 3.1 自然环境概况 3.1.1 地形地貌 3.1.2 地面水系 3.1.3 气象气候 3.1.4 土壤 3.1.5 生态概况 3.2 社会环境概况 3.2.1 人口经济 3.2.2 基础设施 3.2.3 燃气供应 3.2.4 电力供应 3.2.5 给水、排水 3.2.6 热力供应 3.2.7 交通运输 3.3 圆明园水系变迁及其缺水原因分析 3.3.1 圆明园水系的历史及变迁 3.3.2 当前圆明园水系缺水原因分析 3.3.3 对圆明园水系恢复的认识
静电辅助的气溶胶化学气相沉积法制备Y2O3薄膜
文档格式:PDF 文档大小:809.86KB 文档页数:5
采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长
SrTiO3的缺陷化学
文档格式:PDF 文档大小:646.22KB 文档页数:5
系统分析了有关SrTiO3的缺陷化学的文献报道,在此基础上给出了未掺杂、受主和施主掺杂SrTiO3的缺陷反应方程、平衡常数、各种缺陷的生成自由能和生成焓.由此可以计算和预测SrTiO3主要点缺陷的浓度
《芯片制造半导体工艺实用教程》PPT教学课件:第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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