第二章 材料气相制备化学 第三章 材料液相制备化学 3．1 简介 3．2 熔融法 3．3 溶液法 3．4 界面法 3．5 液相沉淀法 3．6 溶胶－凝胶法 3．7 水热法 3．8 喷雾法 3．9 溶液生长法 第四章 材料的固相制备化学 第六章 材料的表面与界面 •6. 1 利用SHS 工艺制备难熔化合物 •6.2 SHS 制备陶瓷内衬钢管 6.3 催化效应 6.4 吸附效应与离子交换

3-1概述 3-2传动轴的外力偶矩·扭矩及扭矩图 3-3薄壁圆筒的扭转 3-4等直圆杆在扭转时的应力·强度条件 3-5等直圆杆在扭转时的变形·刚度条件 3-6等直圆杆的扭转超静定问题 3-7等直圆杆在扭转时的应变能 3-8非圆截面等直杆在自由扭转时的应力和变形 3-9开口和闭口薄壁截面杆在自由扭转时的应力

为了研究性能稳定的低碳钢板坯连铸用无氟保护渣,在测试传统的板坯连铸用高氟保护渣(F- ≥ 3%)性能的基础上,采用单纯形法,设计了CaO-SiO2-Al2O3-Fe2O3-MgO-Li2O-TiO2-Na2O-MnO-B2O3渣系中满足保护渣组成条件的基本实验点.通过逐步固定各组分含量,将多维空间的渣系组成转化为二维平面网格.测试无氟渣样的熔点、黏度、转折温度、玻璃体比例及转折温度时的黏度,并作性能与组成关系的等值线图.通过比较高氟保护渣和无氟渣样性能,确定了碱度、熔点、黏度、转折温度较低,且凝固后呈玻璃体的低碳钢板坯连铸用无氟保护渣的三个生成区域,其中之一的典型成分的质量分数范围是:CaO 31.2%,SiO2 36.8%,Al2O3 3%,Fe2O3 1%,MgO 2%,Li2O 2%,TiO2 6%,Na2O 7%~12%,MnO 3%~8%,B2O3 0~3%

一、 BBDBC 二、1、0.62、0.3753、1-p 三、1、(1)A1A2A3或A1-A2-A3; (2)A1+A2+A3; (3)A1A2A3+A1A2A3+A1A2A3+A1A2A3 (4)A1A2A3或A1+A2+A3

3-1 汇编语言与指令系统 3-2 寻址方式 3-3 数据传送类指令 3-4 算术操作类指令 3-5 逻辑操作类指令 3-6 程序转移类指令 3-7 位操作类指令 3-8 伪指令及汇编语言程序设计

7.1 卤代烃的分类 7.1.1 卤代烷的分类 7.1.2 卤代烯烃和卤代芳烃的分类 7.2 卤代烃的命名 7.2.1 卤代烷的系统命名法 7.2.2 卤代烯烃和卤代芳烃的系统命名法 7.3 卤代烃的制法 7.3.1. 烃的卤化 7.3.2. 由不饱和烃制备 7.3.3 由醇制备 7.3.4 卤原子交换 7.3.5 偕(连)二卤代烷部分脱卤化氢 7.3.6 氯甲基化 7.3.7 由重氮盐制备 7.4 卤代烃的物理性质 7.5 卤代烷的化学性质 7.5.1 亲核取代反应 (1) 水解反应 (2) 与醇钠作用 (3) 与 氰化钠作用 (4) 与氨作用 (5) 卤离子的交换反应 (6) 与硝酸银作用 7.5.2 消除反应 (1) 脱卤化氢 (2) 脱卤素 7.5.3 与金属反应 (1)与镁反应 (2)与锂反应 7.5.4 相转移催化反应 7.6 亲核取代反应机理 7.6.1 双分子亲核取代反应(SN2)机理 7.6.2 单分子亲核取代反应(SN1)机理 7.6.3 分子内亲核取代反应机理 邻基效应 7.7 影响亲核取代反应的因素 7.7.1 烷基结构的影响 (1) 烷基结构对SN2反应的影响 (2) 烷基结构对SN1反应的影响 7.7.2 卤原子(离去基团)的影响 7.7.3亲核试剂的影响 7.7.4 溶剂的影响 7.8 消除反应的机理 7.8.1 双分子消除反应(E2)机理 7.8.2 单分子消除反应(E1)机理 7.9 消除反应的取向 7.10 影响消除反应的因素 7.10.1 烷基结构的影响 7.10.2 卤原子的影响 7.10.3 进攻试剂的影响 7.10.4 溶剂极性的影响 7.11 取代和消除反应的竞争 7.11.1 烷基结构的影响 7.11.2 进攻试剂的影响 7.11.3 溶剂的影响 7.11.4 反应温度的影响 7.12 卤代烯烃和卤代芳烃的化学性质 7.12.1 双键和苯环位置对卤原子活性的影响 7.12.2 乙烯型和苯基型卤代烃的化学性质 (1) 亲核取代反应 (2) 亲核取代反应机理 (3) 消除反应 (4) 与金属反应 (5) 烃基的反应 7.12.3 烯丙型和苄基型卤代烃的化学性质 (1)亲核取代反应 (2) 消除反应 (3) 与金属镁反应

本文报导了HTTA和N7402混合萃取剂萃取铕(Ⅲ)和钆(Ⅲ)的协同效应。分别测定了HTTA与N7402单独萃取,以及HTTA和N7402混合萃取剂协同萃取的最佳条件以及铕(Ⅲ)与钆(Ⅲ)的分离因数,这两个元素的协萃合物为离子缔合物,其稳定性呈现\倒序\现象。以斜率分析法测出协萃合物的组成可能为(R3NCH3)~-,﹝Eu(TTA)3NO3﹞~-及(R3NCH3)~+·﹝Gd(TTA)3NO3﹞~-,讨论了协萃体系的机理

探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近

3 . 1 辅助位和辅助位方程 3 . 2 介质中的静态场—辅助场量方程 3 . 3 导体中的静态场—稳恒电流场和稳恒电场方程 3 . 4 静态场中的导体 3 . 5 静态场的边界条件 3 . 6 静态场的能量 3 . 7 静态场的计算方法 3 . 8 静态场的应用

3-1 试计算图 3-1 种电路输出电压 u0 3-2 图 3-2 为以积分电路,求其输出电压与输入电压的关系式 3-3 已知运算放大器如图 3-3 所示：运放的饱和值为±12v,ui=6V,R1=5K, R2=5K, RF=10K,R3= R4=10K, C=0.2μF,在图 3-4 中画出输出电压的波形