对定常速度下二维非稳态晶体生长的数学模型进行了分析,证明了解的唯一性,并运用Laplace逆变换法对该定解问题进行求解,最后给出了一个具体的例子

利用重力自组装方式获得了聚苯乙烯(Polystyrene,PS)微球三维有序结构的光子晶体模板.借助毛细管力作用,将BPS(B2O3-P2O5-SiO2)溶胶填充到PS蛋白石模板,制备出层数可控的PS蛋白石及网状BPS反蛋白石模板.吸收及透射光谱表明,光子带隙位置因PS固化时收缩而表现出较大幅度的蓝移.XRD衍射图表明BPS在烧结过程中,随温度升高,BPO4晶相增加,将影响BPS骨架结构的介电常数

密度是决定含能材料爆轰性能的重要参数。为评估现有CHON类含能材料密度的计算方法,对等电子密度面法、分子表面静电势法、基团加和法、晶体堆积法、定量构效关系法、经验公式法等进行分析和归类

本文报导了用于耐蚀用途的微孔镀金的工艺。晶体管外引线的腐蚀断裂是长期未能解决的问题。通过在可伐引线上电镀暗镍——Ni-Al2O3复合镀层——酸性脉冲镀金,构成微孔金镀层体系,使腐蚀断裂倾向明显降低

利用多重散射法数值模拟了多个具有五个缺陷点的氧化铝介质柱四方晶格二维光子晶体微腔的透过率T和品质因子Q.结果表明,沿x、y方向介质柱的个数Lx、Ly以及介质柱半径r对微腔品质因子和透过率均有明显影响.通过优化参数,实现了一类具有大透过率T、高品质因子Q的微腔.在模拟范围内,当Lx=13、Ly=17和r=0.25时,微腔品质因子和透过率同时达到较大值,分别为49 270和91%

一、填空题: 1、陶瓷材料的晶体缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷,其中导电性与点缺陷有直接 关系。 2、陶瓷材料的塑性和韧性较低,这是陶瓷材料的最大弱点。 3、陶瓷材料热膨胀系数小,这是由晶体结构和化学键决定的

评估了在未掺杂SrTiO3中氧的自扩散数据,得出:(1)在SrTiO3晶体中,氧通过氧空位扩散,扩散最快的离子为O2-,其次为Sr2-,最慢的为Ti4+.(2)在1098~1623 K范围,氧分压在0.2~7.6×104Pa内变化时,得到氧在SrTiO3晶体中的自扩散系数,而位错密度和氧分压对扩散系数影响不大

用嵌入原子势(EAM)表达的晶体结构力学稳定性判据肯定了AVoter等人给出的铝原子的嵌入原子势的可靠性,计算了铝单晶体的力学性质,铝单晶沿[100]方向受单轴外力作用,当外力为压应力时,其结构发生转变,产生两个不稳定的新结构相BCC和BCT;外力为张应力时,铝单晶产生均匀形变,其形变达14.42%时材料断裂,相应的理论拉伸强度为0.64×104MPa。由计算结果确定了与铝原子EAM势的适用范围相对应的α1取值范围为0.358~0.473nm

比较了运用固相烧结法制备的BiFe1-xCoxO3和BiFe1-xNixO3的晶体结构、饱和磁化强度和矫顽力随掺杂量的依赖关系.结果发现,强磁性的立方结构是掺杂样品磁性的主要来源.Ni掺杂样品的居里温度比Co掺杂样品高,这是由于原子间距和离子种类的不同造成了磁性离子间超交换作用的强弱变化所致.Co离子具有较强的单离子各向异性和偏离立方结构的晶格畸变,造成了Ni掺杂样品的矫顽力比Co掺杂样品低.变温磁滞回线的结果表明,BiCoO3样品的磁晶各向异性随温度降低而增大

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的