一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 七、考查方法 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体三极管

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

• 3.1 晶体管的开关特性 • 3.2 基本逻辑门电路 • 3.3 TTL逻辑门 • 3.4 其他双极型电路 • 3.5 MOS 逻辑门 • 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介

6.1 概述 6.2 时序逻辑电路的分析方法 6.3 若干常用的时序逻辑电路 6.4 时序逻辑电路的设计方法 6.5 用可编程逻辑器件实现同步时序逻辑电路 6.6 时序逻辑电路中的竞争－冒险现象

4.1 概述 4.2 组合逻辑电路的分析方法 4.3 组合逻辑电路的基本设计方法 4.4 若干常用的组合逻辑电路模块 4.5 层次化和模块化的设计方法 4.6 可编程逻辑器件 4.7 硬件描述语言 4.8 用可编程通用模块设计组合逻辑电路 4.9 组合逻辑电路中的竞争－冒险

4.1 组合逻辑电路的分析 4.2 组合逻辑电路的设计 4.3 常用MSI组合逻辑器件及应用 4.4 组合逻辑电路中的竞争与冒险

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点

1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论

Simplistic Model Physical Structure Threshold Voltage Long Channel Current Equations Regions of Operation Transconductance Channel Length Modulation CMOS Processing Technology MOS Layout Device Capacitances Device Capacitances Passive Devices Small Signal Models Circuit Impedance Equivalent Transconductance Short-Channel Effects Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) Effects of Velocity Saturation Hot Carrier Effects