定义7:设是Vn(F)的线性变换,V中向量在o的作用下全体象的集合称为o的值域

一、 I/O指令与I/O程序设计的基本方法。 二、 80x86中断系统。 三、中断服务程序设计的基本方法。 四、DOS与BIOS服务的用途。 五、DOS环境下的可执行程序。 六、驻留程序设计（简介）

包括C=O、C=N、C≡N的碳—杂重键化合物是极为 重要的一大类有机化合物，亲核加成是碳—杂重键的 主要反应，也是重要的有机反应，其中尤以C=O键的 亲核加成最为重要

用动电位扫描法研究了环境因素对NHB1、NHB3,316L和304四种不锈钢点蚀电位的影响。环境因素的变化范围为温度0°—90℃,PH2—12,NaCl1—5%。实验结果指出,在所研究的条件范围内,Eb随温度的变化规律是,低于某一温度（可称之为Eb转折温度）时,随着温度上升,Eb迅速降低,而高于该温度时,随着温度上升,Eb缓慢降低。这一现象可用Cl-、O2和H2O,在纯化膜表面上的竞争吸附来解释。随着溶液中NaCl浓度加大,Eb总的规律是下降的。在中性和酸性范围内,随PH值加大,Eb是上升的。NHB1和NHB3在低温下不出现点蚀;NHB1和316L在PH12时也不出现点蚀

弥散强化铜材料具有高强度和高导电性的特性,孔洞是影响导电率的重要因素.本文采用高速压制成形技术,对Al2O3质量分数为0.9%的弥散强化铜粉压制成形,研究了压制速度对生坯的影响.当压制速度为9.4 m·s-1时得到密度为8.46 g·cm-3的生坯.研究了烧结温度对烧结所得Al2O3弥散强化铜试样导电率的影响.当生坯密度相同时,烧结温度越高,所得试样的导电率也越高.断口与金相分析表明:烧结温度为950℃时,烧结不充分,颗粒边界以及孔洞多而明显,孔洞形状不规则;烧结温度为1080℃时,颗粒边界消失,孔洞圆化,韧窝出现,烧结坯的电导率为71.3%IACS

真理是什么呢？亚里士多德认为逻辑与它有关。他的讲义合集《工具论》（O rg a n o n，可 追溯到公元前4世纪）是最早的关于逻辑的详细著作。对于古希腊人而言，逻辑是追寻真理的 过程中用于分析语言的一种手段，因此它被认为是一种哲学。亚里士多德的逻辑学的基础是 三段论。最有名的三段论（它并非是在亚里士多德的著作中发现的）是： (所有的人都是要死的; 苏格拉底是人; 所以,苏格拉底是要死的。)

本文采用光学显微镜定量金相法和电子探针等研究方法对热等静压及热等静压+锻造的FGH95粉末高温合金中的陶瓷夹杂进行了定性和定量的分析,并对FGH95合金与Rene'95合金中的陶瓷夹杂作了对比。研究得出:FGH95合金中的陶瓷夹杂主要是Al2O3以及Al2O3与SiO2的复合氧化物;而Rene'95合金中,则是SiO2与MgO的复合氧化物以及硅酸铝与MgO的复合氧化物。热等静压的FGH95合金中陶瓷夹杂远远多于Rene'95合金,约高2倍。此外,FGH95合金中的陶瓷夹杂颗粒比Rene95合金要粗大。研究表明:采用热等静压+热锻工艺的FGH95合金,其陶瓷夹杂的平均尺寸比热等静压工艺的FGH95合金要小。合金粉末粒度对合金中的陶瓷夹杂有明显影响

根据合金凝固理论和体积平均多相模型,对NH4Cl-70%H2O凝固过程进行了数值模拟和实验验证.虽然研究者已研究过NH4Cl-70%H2O凝固过程,但是只针对单个现象进行分析,比如通道偏析的形成、对流形式以及晶粒的形成.在前人研究的基础上,本文首次通过数值模拟和实验对比两种手段相结合的方式全面地研究了氯化铵水溶液凝固整个计算域的全部现象,尤其再现了等轴晶在铸锭中的下落漂移现象以及由此引起的对流,并且更深入地探究了偏析的形成原因.通过计算发现等轴晶从型壁处沉降并逐渐向铸型底部积聚,直到体积分数达到一临界值后,柱状晶停止生长,完成柱状晶向等轴晶转化过程.由于溶质再分配,底部晶粒集中的区域形成了负偏析,在尚未凝固的上部区域形成较大范围的正偏析.通过实验验证发现,等轴晶在铸锭中的下落漂移现象和对流形式的预测值与实验值较为一致,从而全面揭示出凝固过程中固相的移动和对流是产生宏观偏析的关键因素

语言仅仅是一种编码的想法似乎很容易被人们接受，很多人在学生时代至少学过一种外语， 因此，我们知道在英语中“c a t”（猫）也可以被叫作g a t o、c h a t、K a t z e、K O I I I K或k a p a。 然而，数字不那么容易随文化的不同而改变。不论那种语言，也不管怎样读那些数字， 地球上我们能够遇到的几乎所有的人都用同样的方式来写数字：

为判断铸坯中夹杂物的主要来源,在无取向硅钢生产过程中,向钢包、中包覆盖剂及中包表面耐材中分别加入基体重量的10% BaCO3,10% SrCO3,10% La2O3(质量分数)作为示踪剂,并在相关工序取钢样或渣样,利用扫描电镜和显微镜观察分析夹杂物的形貌和成分.研究表明,无取向硅钢中大型夹杂物主要为SiO2、Al2O3以及硅铝酸盐,夹杂物的主要来源是保护渣卷入和二次氧化