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一、结构 二、分类和命名 三、物理性质 四、形成yang盐 五、C—O 键的断裂 六、醚的自动氧化 七、1,2-环氧化合物的开环反应
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采用溶胶2凝胶法控制制备了晶粒尺寸从10nm到80nm的二氧化钛纳米半导体.用光催化降解苯酚作为模型反应,结合XRD,DRS,FS等表征手段,研究了纳米TiO2的制备条件与其晶粒尺寸和相结构的关系,探讨了纳米TiO2尺寸效应对其光催化活性的影响.发现当晶粒尺寸小于16nm时,二氧化钛半导体具有了明显的尺寸量子效应.尺寸量子效应对提高TiO2光催化降解苯酚的催化活性起了极为重要的作用
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物质在生物体内进行氧化称生物氧化,主要指糖、脂肪、蛋白质等在体内分解时逐步释放能量,最终生成CO2和 H2O的过程
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提出了一种浸渗-表面合金化的方法,可在石墨电极表面形成具有良好导电性的抗氧化复合保护层,用以降低电炉炼钢过程中石墨电极的侧面氧化消耗.本文介绍了该方法的基本工艺过程,研究了复合保护层的形成机理,建立了相应的动力学数学模型,并对其抗氧化机理进行了初步的探讨
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以粒径640nm的单分散二氧化硅胶体晶体为模板,由四氯化碳和乙二胺回流加热制备出氮化碳的前驱物;将其填入模板的缝隙中,在氮气中热处理,形成氮化碳/二氧化硅的复合物;用氢氟酸除去二氧化硅模板,制备出三维大孔氮化碳材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、元素分析、红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS),对其形貌结构、元素组成、键合状态进行了形貌和结构的表征.采用部分凝血活酶时间(APTT)、凝血酶原时间(PT)和凝血酶时间(TT)对其体外抗凝血活性作了初步的评价,发现制备的大孔氮化碳对血液不会造成促凝,说明其可能成为一种新的血液相容性材料
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▪ 醇、酚、醚都是烃的含氧衍生物——有机含氧化合物 ▪醇、酚、醚也可看作水的烃基取代物 10.1 醇的结构、分类、异构和命名 10.2 醇的物理性质 10.3 醇的化学性质 10.4 醇的制法 10.6.酚的物理性质 10.7 酚的化学性质 10.7.3 氧化与还原 10.8 异丙苯氧化法 10.9 醚的构造、分类和命名 10.10 醚的制法 10.11 醚的物理性质 10.12 醚的化学性质 10.13 环醚 10.14 冠醚
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9.1 醛、酮的结构和命名 9.2 醛、酮的制法 1、醇的氧化和脱氢 2、烃的氧化 3、炔烃水合 4、傅列德尔-克拉夫茨酰基化反应 5、同碳二卤化物水解 6、羰基合成 7、羧酸及其衍生物还原 9.3 醛、酮的物理性质 9.4 醛、酮的化学性质 9.5 α、β-不饱和醛、酮 9.6 醌
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选取700 L作为试验用典型钢种,利用高温同步热分析仪(TGA)研究了热轧过程中不同卷取温度和冷却速率条件对氧化铁皮结构转变的影响规律。实验结果表明,450~500 ℃为700 L共析转变的“鼻温”区间,此时共析转变的孕育期最短,容易发生共析转变,生成大量的共析组织(Fe+Fe3O4)。相较于其他成分钢种的氧化铁皮共析组织转变规律,700 L中添加的Mn、Nb、Ti元素会使晶粒细化,进而使参与反应的离子的扩散通道增加,并最终使共析转变速率发生一定的延迟,共析“C”曲线整体出现向左偏移
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通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO3浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO3浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解
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提出了两段CO深度去除法(M-O法):第1段采用选择性甲烷化和第2段采用选择性氧化,即对水汽变换(WGS)反应器出口约含体积分数为1%CO的重整气进行选择性甲烷化,将CO去除至0.1%以下,而后进行选择性氧化将CO去除至10×10-6以下.实验结果表明:一方面,与两段选择性甲烷化CO深度去除法(M-M法)相比,M-O法具有相近的热效率,工作温度移向低温,可在更宽的温度区间和更高的空速下满足CO去除深度的要求;另一方面,M-M法系统简单,而M-O法具有反应器更加紧凑的优势.此外,还探讨了在上述两种工艺过程的后段再附加上一段高空速选择性氧化过程,可将CO的去除深度进而提高到1×10-6以下,更加有利于质子交换膜燃料电池电站系统长时间连续运行的稳定性
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