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户籍制度是中国社会一项基本的制度安排,它把户口作为资源配置和利益分配的重要凭据,对社会分层和流动产生了较大的影响。在改革开放近三十年后,中国的户口还起不起作用,以及起着怎样的作用?通过对综合社会调查数据的分析,发现中国社会分层具有城乡户口差别和城市户口等级差别并存的特点,户口转变和迁移的开放性程度与个人社会流动机会获得有正相关关系。市场转型虽带来了较多流动机会,但户口等级差别以及户口对体制内流动所起的结构性影响依然存在。鉴于户籍制度的强粘附性生成了社会差别,改革这一制度的基本方向是推行户口一元化和迁移自主化
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– 1、掌握设备有形、无形损耗的类型及其对设备价值的影响; – 2、掌握设备折旧的含义、折旧方法与计算; – 3、掌握设备经济寿命概念及其计算; – 4、掌握存在新设备的设备更新原则及方法; – 5、掌握存在税收影响的设备租赁与购买比较决策
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本章学习要点: § 公共组织负债的内容 § 公共组织负债的特点 § 各项负债在管理方面的要求 § 偿债能力的评价指标 本章关键词: § 负债:liability § 应付款项:account payable § 预收款项:unearned revenue § 暂存款:deposit payable § 资产负债率:Assets Liabilities Ratio § 流动比率:Current Ratio 本章内容: § 第一节 负债概述 § 第二节 应缴款项的管理 § 第三节 应付、预收和暂存款的管理 § 第四节 借入款项的管理
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思想和工具在人口学研究中都不可或缺:思想是对自然规律和社会规律的认识逻辑,是对自然现象和社会现象的解释范式;工具是沟通主观认识与客观世界的桥梁。但是,在中国的人口问题研究中存在两个问题:一是思想的贫困,二是“工具陷阱”。这造成了虽然每年都有大量的研究文献,却鲜有人口理论的建树的局面。另一方面,进入后转变时期的中国人口新常态已经确立,人口与社会经济发展的关系正在发生着转折性、系统性的变化,这给人口研究带来了新的发展契机。中国人口问题研究和理论创新不仅要求我们必须克服思想贫困和工具陷阱这两大障碍,同时也需要解决几个关键性的认识问题
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在地下水研究中应用GIS技术,是由于地下水研究需要组织、定量和解释大量的水文 地理数据。早期的地下水模拟研究需要把地图图表等信息转换成计算机可读的格式。这 些工作费时、冗长,并且容易出现误差。水文信息如降水、参数信息(如水力传导度)、参 数格式(如井的位置和流量值)以及辅助信息(如边界条件)都需要海量数据的组织和管 理。事实上,所有这些信息都是空间分布的,在某些情况下,还是时间分布的。其中许多 数据在计算机中以地图形式存在,如栅格形式矢量格式或数据表形式的图像。由于计算 机图形技术的发展,现在这些信息可以有效地通过GIS系统来存取
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一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适
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给出了在存在不确定性干扰的情况下,生产计划-库存控制过程最优化的动态提法.在此基础上提出了一个在线克服不确定性干扰寻求最优控制的实用算法
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通过扫描电镜和X射线能谱分析仪(X-EDS)分析,对低合金钢种连铸板坯和热轧板中Cu、As和Sn的富集行为进行了研究.实验结果表明:连铸坯中氧化层和氧化层/基体层界面存在Cu、As和Sn元素同时富集现象;热轧板氧化层/基体层界面存在Cu、As和Sn元素富集相,基体层中Cu、As和Sn含量高于氧化层;热轧板晶界处Cu、As和Sn含量明显高于热轧板晶内;Cu、As和Sn在γ晶界偏聚和Fe的优先氧化造成连铸坯中Cu、As和Sn富集,加热炉的二次加热加剧Cu、As和Sn的富集程度,引起Cu、As和Sn向钢材基体渗透扩散,使钢的塑性恶化,导致中板大量表面微裂纹缺陷.分析了Cu、As和Sn富集相对表面微裂纹的影响机理
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针对矢量控制系统存在的参数鲁棒性差这一难点问题,基于自抗扰控制原理,提出了将转子时间常数的变化看作磁链子系统的一种内扰,转子磁链幅值的变化对转速子系统的影响作为转速子系统的内扰,负载对转速子系统的影响作为转速子系统的外扰,并分别通过扩张状态观测器的扩张状态予以估计和补偿的感应电机变频调速系统新型控制方案.该方案有效地解决了参数时变对矢量控制系统解耦性能的影响以及一般矢量控制系统存在的快速性与平稳性矛盾,仿真结果证明了方案的正确性与有效性
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TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米力学探针分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明显的硬度梯度,在材料制备冷却过程中,因MoSi2基体与SiC颗粒之间的热膨胀系数(CTE)的差别而导致的其中的残余热应力是造成上述组织特征的原因
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