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1 共轭效应:单双键交替出现的体系称为共轭体系。在共轭体系中,由于原子间的相互 影响而使体系内的π电子(或 P 电子)分布发生变化的一种电子效应称为共轭效应。凡共 轭体系上的取代基能降低体系的π电子密度,则这些基团有吸电子的共轭效应,用-C 表示。 凡共轭体系上的取代基能增高共轭体系的π电子云密度,则这些基团有给电子的共轭效应, 用+C 表示。共轭效应只能在共轭体系中传递,但无论共轭体系有多大,共轭效应能贯穿于 整个共轭体系中
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2.1 转速、电流双闭环直流调速系统的组成及其静特性 2.2 双闭环直流调速系统的动态数学模型和动态性能分析 2.3 调节器的工程设计方法 2.4 按工程设计方法设计双闭环系统的调节器
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TOSHIBA Semiconductor Company Discrete semiconductor Division 2003 Dec DP054001101
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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
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Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com
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一、高斯通量定理的应用 题4-1,试计算电荷面密度为的无限大平面产生的电场强度,1)利月 斯定律。2)直接计算 浑:1)、解题分析,在板的两侧电场方,向一定向外,如图4.1所示,上 大小相同 闭合面法向 闭合积分面,上下面为S
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一、电场强度 1、库仑定律:真空中点电荷之间存在一种特殊的力的作用,称为库 仑力,若有两个点电荷,电量分别为q1、q2,距离为r,力与距离平方 成反比,与电量之积成正比
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一. 亲电加成反应 (一). 亲电加成反应 (Electrophilic Addition) 1. 正碳离子机理 2. 翁型离子机理 3. 三分子加成机理 4. 炔烃的亲电加成 二. 亲电加成反应活性(Reactivity) 1. 底物 2. 试剂
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13.1电力系统 13.2工业企业配电 13.3安全用电
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1 概述 2 电泳的基本原理 3 电泳系统 4 支持介质 5 染料 6 影响因素
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