第二章半导体材料 一、半导体材料 １.目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ２.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在999%(8~10个9)。 ３.掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

1、课程性质 材料研究与测试方法是材料学专业学生重要的专业基础课。 2、课程的目的和任务 讲述无机非金属材料的分析方法，主要包括光学显微分析、X 射线衍射分析、电子显 微分析、热分析、光谱分析等，通过课程的学习使学生对各种现代分析方法有一个初步的 认识，能够了解各种分析方法的基本原理、过程、装备及应用，掌握相应的基本知识、基 本技能及必要的理论基础，为无机非金属材料工艺学的学习及今后的科学研究工作打下坚 实的基础

一、背景 二、课程性质与任务 三、课程主要内容 四、于其他课程关系 五、课程教学安排 六、参考资料 1.1 金属材料(分类和基本性能) 1.2 无机非金属材料 1.3 高分子材料 1.4复合材料 1.5 给水排水工程设备常用材料的选择原则

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

采用ZrN作为添加剂热压烧结的Si3N4陶瓷材材料进行了透射电子显微镜观察和能谱EDS分析。观察结果表明:烧结的陶瓷中由于晶界残留的玻璃相数量较少,主要分布在三晶粒间界处,从而显著改善了Si3N4材料的高温性能;在这种材料中有许多弥散分布的ZrN相存在,可阻碍裂纹扩展,也起着提高Si3N4材料的强度和韧性的作用;用高分辨电子显微术观察到α’-Si3N4晶粒中存在不同的超结构

主要内容： 第1节 敏感材料及传感器领域相关基本术语 第2节 传感器基本构成型式 第3节 敏感材料与传感器技术研究现状及发展

• 电子材料与器件的可靠性 • 电子材料与器件的失效分析 • 电子材料与器件的腐蚀形态 • 应用举例

主要内容： 材料设备的腐蚀与防护 设备的保温 重点：掌握水工艺设备及常用材料的腐蚀 与防护的基本原理与方法。 难点：设备、材料的腐蚀原理与方法

为满足现代电子工业日益增长的散热需求，急需研究和开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料，而改善复合材料中增强相与基体的界面结合状况是提高复合材料热导率的重要途径.本文在对金刚石和镀Cr金刚石进行镀Cu和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了不同的金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合状况，测定了复合材料的热导率.实验结果表明：复合材料中金刚石颗粒均匀分布于玻璃基体中，Cu/金刚石界面和Cr/Cu界面分别是两种复合材料中结合最弱的界面；复合材料的热导率随着金刚石体积分数的增加而增加；金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而降低，由于镀Cr层实现了与金刚石的化学结合以及Cr在Cu层中的扩散，镀Cr金刚石/玻璃复合材料的热导率随着镀Cu层厚度的增加而增加.当金刚石粒径为100μm、体积分数为70%及镀Cu层厚度为约1.59μm时，复合材料的热导率最高达到约91.0 W·m-1·K-1