5.1 从头计算法(ab initio) 5.1.1 哈特利-福克-罗汤(Hartree-Fock-Roothaan)方程 方程) 5.1.2 从头计算法 5.1.3 基函数的选择 5.2 分子轨道的近似计算方法 5.2.1 CNDO 法 5.2.2 EHMO 法 5.3 Huckel 分子轨道法 5.3.1 Huckel 近似 5.3.2 丁二烯 HMO 久期方程的解 5.3.3 离域能 5.4 HMO 方法的应用 5.4.1 链共轭多烯和单环平面共轭多烯 5.4.2 无机共轭分子 5.4.3 离域 π 键形成的条件 5.4.4 电荷密度 5.4.5 键级 5.4.6 自由价 5.4.7 分子图 5.5 杂化轨道理论 5.5.1 杂化轨道 5.5.2 杂化轨道中的系数 5.5.3 sp,sp 2和 sp 3 等性杂化轨道 5.5.4 不等性杂化轨道 5.5.5 d-s-p 杂化 5.6 离域分子轨道和定域分子轨道 5.6.1 两种分子轨道的特点 5.6.2 两种分子轨道间的变换 5.7 缺电子分子和多中心键 5.7.1 硼烷的电子结构 5.7.2 其它缺电子分子 5.8 分子的几何构型 5.8.1 三原子分子的几何构型—沃尔斯(Walsh)规则 5.8.2 多原子分子的几何构型——价电子对互斥理论 习题

研究了Co掺杂对还原氧化石墨烯(RGO)/Fe3O4复合材料结构、形貌和吸波性能的影响规律.采用一步水热法分别制备RGO/Fe3O4和Co掺杂的RGO/Fe3O4复合材料,通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱分析Co掺杂对复合材料的微观形貌、相组成及表面元素价态的影响;利用矢量网络分析仪测定两种复合材料在2~18 GHz频率范围内的相对复介电常数和复磁导率,模拟计算了Co掺杂对RGO/Fe3O4复合吸波性能的影响规律.结果表明:部分Co参与了水热反应生成了CoCO3、Co3O4和Co2O3,还有部分Co以单质形式存在,其通过正负电荷吸引机制,影响Fe3+在氧化石墨烯(GO)表面的配位,使得负载在还原氧化石墨烯(RGO)表面的Fe3O4纳米颗粒部分迁移至RGO片层间;Co掺杂改善了复合材料的导电能力和磁损耗能力,使复合材料的吸波能力显著增强.反射率模拟结果表明:掺杂后与掺杂前相比,当匹配厚度d=2.00 mm时,最大反射损耗提高3.44 dB,有效吸收频带拓宽2.88 GHz;当匹配厚度d=2.50 mm时,最大反射损耗提高8.45 dB,有效吸收频带拓宽2.73 GHz.Co掺杂对RGO/Fe3O4复合材料的结构和形貌有显著影响,并有效改善复合材料的吸波性能

采用线性极化、电化学阻抗谱等电化学方法研究了连续柱状晶组织BFe10-1-1合金在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的耐蚀性能,并与普通铸造多晶组织BFe10-1-1合金进行了对比.极化曲线测试结果表明,两种合金具有相似的电化学行为,极化曲线都包括活性溶解区、活化-钝化转变区和极限电流区,但连续柱状晶组织合金腐蚀速率小于普通铸造多晶组织合金,主要是由于连续柱状晶组织BFe10-1-1合金的微观偏析程度较小,能有效避免枝晶间局部腐蚀的发生.电化学阻抗谱测试结果也表明,该合金的电荷传递电阻和腐蚀产物膜电阻均大于普通铸造多晶组织合金,具有更高的耐蚀性

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出

一、离子键的形成和性质 1.离子键的形成 2.离子键的性质 二、离子的结构 1.离子电荷 2.离子半径 3.离子的电子构型 三、离子键的强度 一、价键理论 1.共价键的形成和本质 2.价键理论要点 3.共价键的类型 二、杂化轨道理论 1.杂化轨道理论要点 2.杂化轨道的类型及分子的空间构型 三、共价键的类型 简称VB法(ValenceBond theory) 一、分子间力 1.分子的极性和偶极距 2.分子的变形性 3.分子间力 4.分子间力对物质性质的影响 二、氢键Hydrogen bond 1.氢键的形成 2.氢键的特点及种类 3.氢键对物质性质的影响

一、汽油机的点火机理 在火花塞电极间加上高电压后,电极间的气体便发生电离现象, 所加电压愈高,气体电离的程度愈高当电压增高到一定值时, 火花塞两极间的间隙被击穿而产生电火花。使火花塞两电极之间 产生电火花所需要的最低电压,称为击穿电压。当火花塞间隙为 0.5~1.0mm时,发动机冷起动时所需击穿电压约7000~8000V,实 际工作电压一般在10000~15000V 击穿电压的高低与两电极之间的距离(火花塞间隙)、气缸内 压力和温度的大小有关

第十章外部程序间的调用 一、外部程序文件间的调用 二、多媒体作品的分工与协作

进程间的制约关系 ； 信号量与P、V操作 ； 死锁、高级进程通信

1：传、接球：行进间低手传、接球。 2：投篮：复习行进间单手低手投篮。 3：运球：学习跨下运球

 不同数制间的转换  几种常用的数制