一、CVD过程中典型的化学反应 二、CVD过程的热力学 三、 CVD过程的动力学 四、CVD过程的数值模拟技术 五、CVD薄膜沉积装置

采用微波等离子体CVD两段式低温沉积技术,在700~400℃温度范围内沉积了红外增透性良好的金刚石薄膜,结果表明,采用高甲烷浓度可以实现较低沉积温度下的高密度形核,获得光学平整的金刚石薄膜,施加直流偏压的方法在低温下对金刚石形核的促进作用不明显,实验观测到的最大增透率达20%,最大红外透射率接近80%,可满足不同气氛下金刚石容器的应用

采用先进电子显微术在原子尺度研究了(001)单晶SrTiO3衬底上生长的纳米复合薄膜0.65BiFcO3-0.35CoFe2O4的组织形态以及界面结构.BiFeO3(BFO)和CoFe2O4(CFO)两相在外延生长过程中自发相分离,形成自组织的复合纳米结构.磁性尖晶石CFO呈方块状均匀分布于铁电钙钛矿BFO基体中,并沿[001)1]方向外延生长,形成垂直的柱状纳米结构.两相具有简单的立方-立方取向关系,即[001]BFO//[001]CFO和(100)BFO//(100)CFO,且界面为{110}晶面.薄膜表面起伏不平,形成CFO{111}小刻面而BFO则为平整的(001)表面.能谱分析结果表明各相成分均匀分布并无明显的元素互扩散发生

采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-C3N4化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,α-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高,超过一定的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持C-N键的存在

7.1 聚丙烯树脂牌号开发的目的、意义及采用的手段和方法 7.1.1 牌号开发的目的和意义 7.1.2 牌号开发的现状 7.1.3 牌号开发采用的手段和方法 7.2 树脂牌号开发中常用添加剂及其作用机理 7.2.1 概述 7.2.2 抗氧剂 7.2.2.1 抗氧剂作用机理 7.2.2.2 抗氧剂的分类 7.2.2.3 选择抗氧剂的要求 7.2.3 光稳定剂 7.2.3.1 简介 7.2.3.2 光稳定剂的分类与作用机理 7.2.3.3 选择光稳定剂的要求 7.2.4 铜抑制剂 7.2.5 抗静电剂 7.2.6 成核剂 7.2.7 爽滑剂、开口剂 7.2.8 分子量调节剂 7.2.9 抗菌剂 7.2.10 润滑剂 7.3 树脂牌号开发中添加剂配方设计 7.3.1 概述 7.3.1.1 配方设计原则 7.3.1.2 添加剂的选择依据 7.3.1.3 加入添加剂的效应 7.3.2 聚丙烯配方设计与实例 7.3.2.1 聚丙烯抗氧化配方设计 7.3.2.2 添加铜抑制剂的聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.3 抗静电聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.4 添加成核剂的聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.5 添加爽滑剂、开口剂聚丙烯配方设计及实例 7.3.2.6 添加相对分子质量调节剂的聚丙烯配方设计及实例。 7.3.2.7 添加抗菌剂的聚丙烯配方 7.4 聚丙烯牌号开发中树脂微覌结构设计探讨 7.4.1 双轴取向聚丙烯薄膜（BOPP） 7.4.1.1 双轴取向聚丙烯薄膜生产过程简述 7.4.1.2 树脂微观结构对工艺过程的影响。 7.4.2 聚丙烯流涎薄膜 7.4.2.1 流涎膜生产过程 7.4.2.2 流涎膜对树脂要求 7.4.3 聚丙烯纤维(丙纶) 7.4.3.1 生产方法与品种 7.4.3.2 聚丙烯纤维所用原料对工艺和产品影响 7.4.4 编织袋用的扁丝 7.4.5 注塑 7.4.6 泡沫成型，热成型等加工工艺用的高熔体强度聚丙烯 7.4.7 高刚性聚丙烯 7.4.8 热水管用聚丙烯 7.4.9 抗冲击型聚丙烯（嵌段聚丙烯）

一、离子镀方法的原理和特点 二、 各种各样的离子镀方法 三、 其他制备薄膜的PVD方法

将喷涂法应用于制备染料敏化太阳能电池光阳极，具有浆料制备简单、易操作、成本低廉等优势.本文以钛酸丁酯和P25为原料配制浆料，采用喷涂法制备二氧化钛薄膜，选择乙二醇作为造孔剂，探索了乙二醇的最佳加入量.通过对电池I-V曲线，二氧化钛薄膜表面粗糙度、染料吸附量和漫反射谱，以及光阳极的扫描电镜照片和交流阻抗图谱的分析，得到如下结果：当乙二醇与钛酸丁酯的体积比为1：1时，二氧化钛薄膜的粗糙度最大，即孔隙率和比表面积最大，因此染料吸附量达到1.47×10-7mol·cm-2，电池性能最好，其中开路电压为0.69 V，短路电流为13.0 mA·cm-2，光电转化效率达到5.38%，比不加造孔剂时增加了将近1倍，此时电子的扩散转移电阻也最小

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理.X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大.热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1.31×104 cm2/（V·s）提高到4.47×104 cm2/（V·s）（热蒸镀）和2.15×103 cm2/（V·s）提高到2.04×104 cm2/（V·s）（磁控溅射）

用塑料薄膜可对齿面失效进行复型,它可真实的反映出齿面的情况,而已复型的薄膜又能在显微镜下观察摄影,并可长期保存。从而基本上解决了齿轮在运转过程中齿面情况定时摄影的难题。本文着重介绍塑料复型原理、塑料薄膜的制做方法和齿面复型方法。为说明这种复型方法的精确性,并附有轮齿失效追踪的实例