上海交通大学：《材料综合实验》课程教学资源（实验指导）物理性能_实验三（II）磁性薄膜的磁电阻测量

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

《陶瓷材料》课程教学资源（PPT课件）第六章 功能陶瓷 6.8 功能陶瓷薄膜

上海交通大学：《材料综合实验》课程教学资源（实验指导）物理性能_实验三（I）探针测量半导体或金属薄膜电阻率

实验一、真空蒸发法制备碳膜 实验二、X射线掠入射角分析薄膜结构 实验三 非晶合金热处理后的晶化过程 实验四 纳米压痕实验

什么是“纳米表面” 纳米量级厚度的薄膜 表面含有纳米颗粒与原子团族 表面含有纳米碳管 复合纳米表面

一、外延生长 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层

6.1 单元系相变的热力学及相平衡 6.2 纯晶体的凝固 6.3 气固相变与薄膜生长 6.4 高分子的结晶特征

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