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一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 1 分,共 10 分) 1.功率放大器的效率是指( )。 A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比 C.输出功率与管耗之比 D.管耗与电源功率之比
文档格式:DOC 文档大小:194KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.理想情况下,差动放大器的差模输入电阻为( ) A.1 B.0 C.∞ D.100
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一、填空题(每空 1 分,共 10 分) 1. 二极管的主要电气特性为_________。 2. 三极管若发射极正偏,集电极也正偏时,此时三极管处在_________工作状态
文档格式:PDF 文档大小:225.01KB 文档页数:11
一、选择题(共10题20分) 1.2分(3886)3886在一定温度下,1-1价型强电解质稀溶液的摩尔电导率Am的数值可反映哪些因素?出() (A)浓度的大小 (B)所含离子的电荷数 (C)离子电迁移率的大小 (D)A和C
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
文档格式:PPT 文档大小:734KB 文档页数:22
一、填空题(将你认为最恰当的词句填在空格上,使句意完整通顺,每 空一分,共20分)。 1机体机能活动的调节方式包括 和 2骨骼肌细胞进行收缩和舒张的最基本功能单位是 ,它是指肌原纤 维上两条 线之间的结构
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
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