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配位化合物又称络合物,是一类含有中心金属 原子(M)和若千配位体(L)的化合物(ML)中心 原子M通常是过渡金属元素的原子(或离子,具 有空的价轨道;而配位体L则有一对或一对以上 孤对电子M和L之间通过配位键结合成为带电 的配位离子,配位离子与荷异性电荷的离子相结 合,形成配位化合物有时中心原子和配位体直接 结合成不带电的中性配位化合物分子 个配位化合物分子(或离子)中只含一个中心 原子的叫单核配位化合物含两个或两个以上中 心原子的叫多核配位化合物在多核配位化合物 中若MM之间有键结合在一起的叫做金属簇化之合物
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1、把旋转工作机构的负载转矩 或直线工作 机构的负载力 折算到电动机轴上而成为等 效的负载转矩 ---保持系统传送的功率不变
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对称性随时间变化的磁场一感生电场(涡旋电场) 随时间变化的电场一磁场 麦克斯韦提出又一重要假设:位移电流 一.问题的提出 稳恒磁场的安培环路定理:
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1.掌握UV-240紫外可见光谱仪的基本操作方法。 2.明了电子跃迁的基本及积分吸收强度S,爱因斯坦吸收系数B灬,振子强度∫;跃迁矩积分Rm的测定原理 3.通过测定o(NH3hkh3的S,Bm,f,Rm等参数,判断[o(NH3)}3的dd电子跃迁特性
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1.前面内容回顾: 2.分界面上电磁场法向分量的关系: 3.分界面上电磁场切向分量的关系:
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1、已知内功率因数角ψ 按照电势方程式的关系作出相量图 2、未知内功率因数角ψ (1)利用方程式求出ψ: (2)利用公式求出ψ:
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第一节信号传输延迟 数字电路的延迟由四部分组成: 门延迟 连线延迟 扇出延迟 大电容延迟 一、CMOS门延迟:
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利用电阻炉研究了凝固条件对AlSi7Mg 合金半固态加热时组织的影响.研究表明:电磁搅拌的AlSi7Mg 合金在589或597℃下保温,在较短的时间内(5~10 min),共晶体即可重熔,α相可转变为球状,而且保温温度越高,试样共晶体重熔和α相球化的过程越快;相比较,未电磁搅拌的细小枝晶的AlSi7Mg 合金在同样的加热温度下,即使保温60min,也无法获得完全球状α相的半固态组织
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一、有功功率的最优分布 二、频率调整
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(1)额定值的标么值为1。 (2)折算前、后标么值相等(不需折算)。 (3)线值标么值和相值标么值相等。 (4)单相的标么值和三相的标么值相等。 (5)百分值=标么值100(%) (6)电压等级差别大,但标么值表示的参数变化范围不大
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