以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值

采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,液相烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,并研究了SiC了烧结体的物相组成和微观结构.实验结果表明,Al2O3,Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,α-SiC通过溶解和再析出机制,促进晶体生长,并形成\Core/Shell\结构.物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生了β→α的相变.微观结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒

在帘线钢冶炼过程中,通过采用炉后弱脱氧、防止钢液污染,以及控制精炼顶渣碱度指数和Al2O3含量指数等措施,使钢中夹杂物向低熔点区域转变,促进钢中夹杂物上浮、排出钢液,同时也使钢中残留氧化物夹杂具有良好的变形性能.实践表明,通过采用上述工艺措施,帘线钢中夹杂物成分、尺寸和变形性得到了有效控制

用数学方法证明了二维稳态温度起伏数学模型的Fourier级数形式解是收敛的,该温度起伏的数学模型的解是惟一的而且是稳定的.这个模型的温度解呈现出指数振荡衰减,验证了熔液对流促使温度产生大的起伏,导致大量晶核形成这一熔体形核机制的正确性

通过中厚钢板热轧工艺润滑实验,分析了不同工艺润滑条件下中厚钢板热轧过程中轧制载荷与压下率的关系,研究了工艺润滑对钢板表面质量的影响,并结合实验钢的连续冷却转变曲线,探讨了工艺润滑条件对钢板组织转变的影响.结果表明:中高质量浓度比低质量浓度热轧油能更有效地降低轧制力;粗轧阶段比精轧阶段降低轧制力效果更明显.工艺润滑可改善中厚热轧板的表面质量,降低板面粗糙度,并促进钢板表面处在轧制过程中的铁素体转变,减少表面附近的带状组织,使轧后表面处组织均匀细小,减小表面缺陷产生的概率

为了改善制备工艺和提高W-Cu合金的密度与性能,对原料粉末进行了机械活化处理,通过成形和烧结制备了W-Cu合金,考察了活化后粉末的变化,观察了合金的烧结组织并测量了密度.结果表明,机械活化能增大钨铜粉末的表面能和晶格畸变能,有效地促进烧结,改善烧结组织;烧结体中存在大量团絮状组织,团粒内部钨颗粒主要以固相方式烧结在一起,而团粒之间则以液相烧结为主.烧结组织细密、均匀,相对密度达98%以上;烧结组织中钨铜两相在微米尺度下仍然结合良好,部分界面出现了互溶

利用偏振光金相和透射电子显微镜研究了Al-2%Mg,Al-6%Mg和Al-9%Mg合金热形变过程中的动态再结晶行为.结果表明:Al-2%Mg和Al-6%Mg合金的动态再结晶是在一定的Z参数范围内发生的,而Al-9%Mg合金的动态再结晶行为与低层错能材料相似.Mg含量增加促进了该合金动态再结晶的发生,原因是Mg原子气团阻碍位错的交滑移,使动态回复难以发生

随着NaCl加入量的增大,利用矿渣、粉煤灰、脱硫石膏、石灰和硫酸铝作为土壤固化剂的固结土试块的抗压强度先增加后减小.当NaCl的质量分数为2%左右时,固结土试块的抗压强度在不同的养护龄期都是最大的;而Na+和Cl-的固结率在养护时间为3~7 d增长速度很快,在养护时间为7~28 d增长速率减缓,但还是保持增长的趋势,在养护28 d以后基本趋于稳定,基本都保持在60%~80%.通过29Si和27Al的核磁共振谱测试,发现在C—S—H网络状结构中大量存在四配位和六配位的铝,而Al对Si位的取代是Na+被固化的关键;同时发现NaCl能够促使Al从四配位向六配位转化,使硅氧体系的聚合度增加

采用合适的冶炼及形变热处理工艺获得了具有x-Ti+Ti2Co金属间化合物双相超细组织的Ti-12Co-5Al合金板材。该合金呈现出优异的高速低温超塑性,在700℃的较低温度和3×10-2s-1的高应变速率条件下获得了延伸率为1550%的超塑性。微观组织研究表明,超塑变形促进了Ti2Co粒子的长大和形状变化,且在延伸率达500%时试样中仍无孔洞产生

添加H3BO3,SrCl2或SrF2等助熔剂显著提高了焙烧得到的SrCe0.95Yb0.05O3-α陶瓷粉料的比重。添加2%SrF2使比重接近理论值。用此陶瓷粉料在较低温度较短时间条件下烧结即可得到密度符合固体电解质要求的烧结体。DTA、TG、XRD分析结果表明,助熔剂促使SrCeO3在较低温度下开始生成并使反应完全。交流阻抗谱、氢浓差电池电动势测定结果表明,助熔剂对电导率、离子活化能无明显影响。973K以下温度的质子迁移数接近1