随着集成工艺的发展，PLD的集成规模已经有了 很大的改变。CPLD就是一种集成度远远高于PAL和 GAL的电路

1.问题的提出 (1)变化的磁场能产生涡旋H沿L的环流与曲面有关.电场,变化的电场呢?

研究了X70管线钢缝隙在含Cl-、SO42-溶液中阴极极化行为.实验结果表明:在-1000mV(CSE)缝口控电位下,随着缝隙开口尺寸增大,缝隙尖端越靠近缝口控电位;在同一缝隙开口尺寸时,随着缝口控电位的增大,缝隙内越容易达到保护状态.欠保护状态下,缝隙腐蚀会发生,缝隙内溶液pH值降低;保护状态下,缝隙内溶液pH值升高有碱化趋势

1 基本要求 [TOP] 1.1 理解电解质溶液的导电机理。理解离子的电迁移和迁移数的概念和物理意义。 1.2 理解电导率、摩尔电导率的定义和物理意义，以及它们之间的相互关系，掌握相关的计算。 1.3 理解电导与离子浓度的关系、离子独立运动定律，掌握有关计算和应用

一:结构: 电源接口:接线柱有断裂现象 1:电源 2:IDE接口:插针有断裂、缩回、虚焊现象 3:跳线:用于设置 MASTER/SLAVE 4:主轴电机驱动 5:磁头伺服定位驱动

利用透射电镜研究了采用\固有抑制剂法\低温板坯加热技术生产的取向电工钢热轧板中抑制剂的析出行为,探讨了板坯加热温度对二次再结晶和成品磁性的影响.结果表明:热轧板中析出相以复合硫化物为主;随着板坯加热温度的提高,复合硫化物中铜锰比增高,析出相尺寸减小,分布更均匀,同时AlN析出增多,使得抑制力更强,二次再结晶更完善,磁性更好

根据功能要求,实现具体电路设计,本节分为用门电路设计和用中规模功能器件设计。 一、采用门电路设计 1、一般设计方法 设计过程与分析过程正好相反,其步骤如下: (1)搞清功能要求,明确因果关系,设置输入、输出变量

组合逻辑电路的分析,就是将电路图上的连接,转化为易于归纳的形式,进而了解电路的功能。分析步骤如下: (1)从输入向输出逐级推导,得到最终的输出表达式 (在这个过程中,有时可以设几个中间变量) (2)表达式化简。 (3)由逻辑表达式列出真值表

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的