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永磁材料R1-δ(2T)δT5型化合物[(R=稀土元素,T=Fe,Co,Ti,V,等过渡金属元素),(δ=2/5,1/2)]的结构和磁性
文档格式:PDF 文档大小:638.89KB 文档页数:7
总结了稀土金属(R)与过渡金属(T)化合物RT5型系列衍生物中R3(Fe,M)29和R(Fe,M)12的结构和内禀磁性,以及它们之间的关系.阐述了稳定元素(M)和嵌入轻原子(N,C,H)对其结构和内禀磁性的影响
决策支持开发工具DSSG的模型与模型库管理
文档格式:PDF 文档大小:499.42KB 文档页数:6
讨论了决策支持系统开发工具DSSG的模型概念、模型构造以及模型库管理中的一些问题,引人原子模型和复合模型概念。提出了一个模型及模型库管理系统的设计方法,还就构模语言SML的设计提出模型
Fe对金刚石刻蚀反应的相分析
文档格式:PDF 文档大小:330.63KB 文档页数:4
研究了950 ℃保温6 min时Fe对金刚石的刻蚀反应.用AES微区成分分析给出了金刚石晶格中的C原子,自金刚石与Fe的相界面溶入Fe中的分布,并通过AESCKLL谱确认了溶入Fe中C的存在状态是石墨,而无碳化物相形成
K3AlF6加入对NiFe2O4基金属陶瓷阳极电解腐蚀的影响
文档格式:PDF 文档大小:683.48KB 文档页数:5
采用5Cu-9.5NiO-85.5NiFe2O4金属陶瓷阳极在不同的低温铝电解质体系中进行测试.用扫描电镜和X射线衍射对电解后阳极的微观结构进行研究;用电感耦合等离子体原子发射光谱测定电解后产品铝和电解质中杂质元素含量,计算并比较不同电解质组成条件下的阳极腐蚀速率.结果表明:向Na3AlF6-30AlF3体系添加质量分数约为20%的K3AlF6,该阳极表现出好的耐腐蚀性能
取向硅钢绝缘涂层结构及其对铁芯损耗的影响
文档格式:PDF 文档大小:592.14KB 文档页数:4
采用XRD、SEM和TEM等方法研究了取向硅钢陶瓷涂层的结构特征,采用磁性测量仪分析了此结构对铁芯损耗的影响.结果表明:取向硅钢绝缘涂层包括硅酸镁底层和磷酸盐涂层两部分,硅酸镁底层与钢板基体之间主要是嵌入式机械结合,未见底层原子或原子团扩散,因此为了获得底层对基体良好的附着性,底层应形成细小而排列紧密的硅酸盐晶粒,并嵌入钢板基体的表层,但是也会对取向硅钢的铁芯损耗产生不利影响
《微生物药物学》第九章 其他类别的抗生素及细菌耐药性
文档格式:PPT 文档大小:1.05MB 文档页数:127
一、安莎类抗生素的结构特征 安莎环类是由一类在化学结构上类似以一个脂肪链连接 着一个芳香核的两个不相邻碳原子的“安莎桥”结构为特 征的抗生素所组成: 它又可以根据化学结构中组成芳香核的不同而分为两族。 如芳香核为苯环,则称为苯安莎霉素族(benzoquinoid),包 括格尔德霉素(ge danamycin)、柄型菌素(ansamitocins) 等
《微生物药物学》第十章 其他类别的抗生素及细菌耐药性
文档格式:PPT 文档大小:1.04MB 文档页数:127
一、安莎类抗生素的结构特征 安莎环类是由一类在化学结构上类似以一个脂肪链连接 着一个芳香核的两个不相邻碳原子的“安莎桥”结构为特 征的抗生素所组成: 它又可以根据化学结构中组成芳香核的不同而分为两族。 如芳香核为苯环,则称为苯安莎霉素族(benzoquinoid),包 括格尔德霉素(ge danamycin)、柄型菌素(ansamitocins) 等
北京大学:《量子光学》课程教学课件(讲稿)第10章 相干布居囚禁和电磁感应透明
文档格式:PDF 文档大小:6.94MB 文档页数:49
一、Hanle效应 二、相干布居囚禁 三、电磁感应透明 四、缀饰态下 CPT和EIT 五、数值计算 EIT和CPT 六、三能级原子的相干性质 七、作业(report)
大面积CVD金刚石膜的热铁板抛光
文档格式:PDF 文档大小:455.2KB 文档页数:3
研制成功国内第1台大面积CVD金刚石膜热铁板抛光机.它可以在10-3Pa真空条件下,加热到1 100℃;抛光台可以在0~10 r/min间实现无级调速,一次完成3片φ110 mm的金刚石膜的抛光.金刚石膜在980℃,2 h抛光的结果表明该装置有良好的抛光效果.金刚石膜在980℃抛光不同时间的Raman谱表明,金刚石热铁板抛光是金刚石石墨化和C原子不断扩散的过程
Dy对NdFeB永磁合金各向异性的影响
文档格式:PDF 文档大小:520.36KB 文档页数:4
对名义成分为Nd12.3-xDyxFe79.7Nb0.8Zr0.8Cu0.4B6(x=0,0.5,1.5,2.5)的预合金进行长时间高温退火,将其破碎,取向并粘结.分别沿取向方向和垂直于取向方向测量其磁化曲线.将两曲线延长至相交,交点对应的磁场视为材料的磁晶各向异性场.结果表明:随着Dy含量的增加,合金各向异性场(HA)呈线性增加.当Dy的原子分数为2.5%时,合金各向异性场达到7536 kA·m-1;平均每增加1%Dy,各向异性场提高值为200~300 kA·m-1
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