一、催化剂及其分类 二、助剂及其分类 三、催化剂及助剂的应用 四、催化剂及助剂的发展概况 实验二十三、活性氧化铝的制备 实验二十四、增塑剂邻苯二甲酸二辛酯的制备 实验二十五、聚丙烯酰胺絮凝剂的制备

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、食品和饲料添加剂及其分类 二、食品和饲料添加剂的应用 三、食品和饲料添加剂的发展概况 实验十七、苯甲酸钠的制备 实验十八、姜油的制备 实验十九、果胶的制备

1.掌握注射剂的定义、质量要求,热原的概念、性质、检查和除去方法 2.掌握注射用水的质量要求和制备方法 3.掌握注射剂的制备工艺过程 4.掌握输液的容器处理、制备方法、存在问题及质量检查

试样分析过程一般包括下列步骤:试样的采集和制备、定性检验、试样的分解、干 扰物质的分离和定量测定。分析测定的结果能否为生产、科研提供可靠的分析数据,直 接取决于试样有无代表性,处理过程是否完善,要从大量的被测物质中采取能代表整批 物质的小样,以取得正确的结果,应掌握适当的技术,遵守一定的规则,采用合理的采 样、制备试样和分离检测的方法

探索了以二次铝灰为原料,通过低温碱性熔炼-浸出-晶种分解制备α-Al2O3工艺.研究了碱灰比、盐灰比、熔炼温度、熔炼时间、浸出温度、浸出时间和固液比等因素对铝及硅浸出率的影响.探讨了使用晶种分解法处理浸出液制取氧化铝的工艺的可行性.结果表明:优化制备条件为碱灰比1.3,盐灰比0.7,熔炼温度500℃,熔炼时间60 min,浸出温度60℃,浸出时间30 min,固液比1:4;铝浸出率最高可达92.71%;晶种分解法处理浸出液的后续工艺可行有效

以聚丙烯腈预氧化纤维为先驱纤维,使其在真空烧结过程中原位转化生成碳纤维来增韧氧化铝陶瓷材料.利用热重–差热分析和X射线衍射研究了聚丙烯腈预氧化纤维的相结构和化学结构以确定制备复合材料的升温烧结工艺,并探讨了加压方式和聚丙烯腈预氧化纤维含量对复合材料组织结构和性能的影响.研究发现聚丙烯腈预氧化纤维在差热曲线上444℃左右的放热峰和X射线衍射图谱中17左右的衍射峰是由预氧化阶段残留的未充分氧化的聚丙烯腈分子引起的;而1073℃左右的吸热峰和25.5左右的衍射峰说明预氧化纤维在加热烧结过程中已开始向碳纤维转变.热压烧结制备的复合材料的力学性能明显优于无压烧结.随着聚丙烯腈预氧化纤维含量的增加,复合材料的密度和显微硬度降低,而断裂韧性则先升高后降低,当聚丙烯腈预氧化纤维体积分数为20%时,复合材料的断裂韧性最大,达9.39MPa·m1/2,说明原位碳纤维的生成提高了复合材料的断裂韧性,其增韧机制主要为纤维拔出和脱黏

采用水热法,以氢氧化钠为分离剂,从含钛电炉熔分渣中成功制备出纳米片状结构二氧化钛光催化剂,并探讨了水热反应时间、水热温度以及碱液浓度对分离提取纳米片状结构二氧化钛的影响.随着水热反应时间的延长,水热温度以及氢氧化钠溶液浓度的提高,从含钛电炉熔分渣中分离提取的二氧化钛结晶度越好,微观形貌更趋近于纳米片状结构.水热法处理含钛电炉熔分渣的最佳反应条件是:水热温度高于180℃,水热反应时间大于24 h,碱液浓度达到12 mol·L-1.以制备得到的纳米片状结构二氧化钛为光催化剂,在氙灯光照90 min后,甲基蓝降解率可达81.1%

将钢渣作为陶瓷的烧制原料之一,设计了CaO-MgO-SiO2体系陶瓷烧制配方,并成功地制备出性能稳定良好的陶瓷材料样品.样品的抗弯强度最大可达99.84 MPa.利用扫描电镜、电子探针微区分析仪和X射线衍射仪等对钢渣陶瓷制品进行了分析.结果发现:对于CaO-MgO-SiO2体系,当钢渣加入量(质量分数)为40%时,主晶相为透辉石-铁透辉石固溶体;当钢渣加入量大于65%时,主晶相为镁黄长石和透辉石.研究表明,采用钢渣制备陶瓷材料是一种很有潜力的钢渣高附加值利用技术

采用放电等离子烧结(SPS)方法制备出高体积分数的铜/金刚石复合材料,并对复合材料的致密度、热导率和热膨胀系数等进行了研究.结果表明,采用该方法制备的铜/金刚石复合材料微观组织均匀,致密度分布为94%~99%,最高热导率为305W·(m·K)-1,热膨胀系数与常见电子半导体材料相匹配,能够满足电子封装材料的要求