利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在

绝热近似条件:电子对离子运动的影响,可以通过引入一个均匀分布的负电荷所产生的常量势场 近似处理。这样就将电子的运动和离子的运动分开。 晶格具有周期性,晶格的振动具有波的形式一一格波

9.1 离子键及离子化合物 9.2 价键理论及共价化合物 9.3 分子间力和氢键 9.4 晶体结构简介（自学） 9.5 超分子化学（自学）

采用高温固相法成功制备了 Li2x−ySr1−xTi1−yNbyO3(x=3y/4, y=0.25, 0.5, 0.6, 0.7, 0.75, 0.8) 锂离子固体电解质，并通过X 射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、交流阻抗图谱、恒电位极化等分别研究了各个组分的晶体结构、微观形貌、离子电导率和电子电导率. XRD 显示当 y≤0.70 时，材料为立方钙钛矿型结构，几乎没有杂质相生成. SEM 表明随着掺杂含量 的增加材料的晶粒尺寸逐渐增大. Li0.35Sr0.475Ti0.3Nb0.7O3 锂离子固体电解质有着高离子电导率，为 3.62×10−5 S·cm−1，其电子电导率为 2.55×10−9 S·cm−1，活化能仅为 0.29 eV. 使用以 Li0.35Sr0.475Ti0.3Nb0.7O3 为隔膜的 LiFePO4/Li 半电池经过 100 圈循环后，放电比容量仍有 93.9 mA·h·g−1，容量保持率为 90.72%

利用单矿物实验，研究了十二胺（DDA）对黄锑矿的浮选行为.研究发现：pH值为2.0~8.0时，黄锑矿浮选回收率达到90%以上；pH值为8.0~10.0时，黄锑矿浮选回收率急剧降低；当pH值〉10.0时，十二胺对黄锑矿几乎没有捕收作用.十二胺浮选溶液化学分析结果表明，十二胺阳离子（DDA+）是对黄锑矿产生捕收作用的主要成分.采用密度泛函理论研究了黄锑矿晶体以及十二胺离子和分子的电子结构性质，考察了十二胺离子、十二胺分子和水分子在黄锑矿表面的吸附行为.三种吸附质在黄锑矿表面吸附能顺序为DDA 〉 H2 O 〉 DDA+，十二胺离子可排开黄锑矿表面的水化膜，实现黄锑矿的疏水上浮，十二胺离子主要通过物理吸附形式吸附于黄锑矿表面

探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近

固体材料是由大量的原子（或离子、分子）组成的。一般固体材料每 1cm3 的体积 中有 1022~1023个原子。固体材料中的原子按一定规律排列。根据固体材料中原子排列的 方式可以将固体材料分为晶体、非晶体和准晶体。理想晶体中原子排列具有三维周期性， 或称为长程有序；非晶体中原子的排列呈现近程有序、长程无序的特点；准晶体的特点 则介乎于晶体和非晶体之间。本章主要介绍理想晶体中原子排列的规律

固体材料是由大量的原子(或离子、分子)组成的。一般固体材料每1cm3的体积 中有102~103个原子。固体材料中的原子按一定规律排列。根据固体材料中原子排列的 方式可以将固体材料分为晶体、非晶体和准晶体。想晶体中原子排列具有三维周期性, 或称为长程有序;非晶体中原子的排列呈现近程有序、长程无序的特点;准晶体的特点 则介乎于晶体和非晶体之间。本章主要介绍理想晶体中原子排列的规律

按照点阵结构理论，晶体的主要特征是其结构基元作周期性的排列，但实际晶体中 的原子或离子总是或多或少地偏离了严格的晶体周期性，因而出现了各种各样的结构缺 陷，并对晶体的各种物理性质产生的重要影响。根据晶体缺陷在空间延伸的线度晶体缺 陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。本章主要讲述晶体缺陷的典型形式以及对 晶体性质的主要影响

按照点阵结构理论,晶体的主要特征是其结构基元作周期性的排列,但实际晶体中 的原子或离子总是或多或少地偏离了严格的晶体周期性,因而出现了各种各样的结构缺 陷,并对晶体的各种物理性质产生的重要影响。根据晶体缺陷在空间延伸的线度晶体缺 陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。本章主要讲述晶体缺陷的典型形式以及对 晶体性质的主要影响