Al-Si系合金在现代工业、交通等领域广泛应用，合金元素钪可进一步改善其加工和使用性能.采用超声协同熔盐电解法制备Al-7S-Sc三元合金，研究探索超声作用对合金组织及强化相分布的影响.发现超声协同熔盐电解制得合金中Sc含量提高，团簇共晶硅组织和AlSi2Sc2相显著细化，共晶硅团簇尺寸由约500降低至200 μm，减小约60%，细化后AlSi2Sc2相分布均匀.超声协同电解法可显著优化Al-7Si-Sc合金组织，有助于控制改善现行工艺中合金元素偏聚、组织不均匀现象

利用利用X射线衍射、电子背散射衍射和透射电子显微镜等手段研究了Cu-Ni-Si系合金在不同固溶温度下第二相与织构对其平面各向异性的影响.结果表明:随固溶温度的升高,合金强度和伸长率均出现先升高后降低的趋势,且存在明显的各向异性;800℃固溶时,Cu'和S'为主织构,部分形变晶粒诱发少量Brass、Goss和{011}〈511〉取向的形成,使得合金各向异性减弱;高温固溶时(≥ 850℃),晶粒发生完全再结晶,Cu'和S'织构强度显著增加,Brass等织构减弱甚至消失,各向异性增强;850℃固溶时效后形成δ-Ni2Si析出相,并与基体满足[001]Cu//[1

金刚石粒度和掺杂量两因素对Si-Ti-B掺杂金刚石/硬质合金复合体的金刚石层的抗弯强度和耐磨性的综合影响,可以归结为平均自由程与机械性能的关系。在强度(或耐磨性)与平均自由程的关系曲线中,存在最大值。对于低掺杂量材料,强度随平均自由程(粘结相层厚度)的减少而降低。对于高掺杂量材料,强度随粘结相层厚度的增大而下降。Si-Ti-B掺杂烧结金刚石的耐热性高于钴粘结金刚石

在快速枝晶及共晶生长理论模型基础上,使用最高界面生长温度判据,建立了共晶合金快速等轴凝固界面响应函数(IRF)模型,分析了Al-Si合金系各种相及组织的竞争生长,绘制了非平衡组织选择图.计算结果与实验结果基本吻合,说明所建立的界面响应函数模型可以较好地预测Al-Si合金等轴凝固过程中的非平衡组织选择及形态演化

实验一 光源照度的测量 . 1 实验二 Si 光电池开短路测量实验 . 4 实验三 Si 光电池负载特性实验 . 6 实验四 Si 光电池伏安特性实验. 8 实验五 光敏三极管偏置电压实验. 11 实验六 光敏三极管光照特性实验. 12 实验七 光敏三极管负载特性实验. 13 实验八 光敏三极管伏安特性实验. 14 实验九 He-Ne 激光器光强分布及光束发散角测量实验. 15 实验十 光纤图像传输实验 . 18 实验十一 光电倍增管 PMT 实验 . 22 实验十二 透射式光开关实验 . 30 实验十三 反射式光电开关实验 . 31 实验十四 红外光电报警实验 . 32

实验一 光源照度的测量 . 1 实验二 Si 光电池开短路测量实验 . 4 实验三 Si 光电池负载特性实验 . 6 实验四 Si 光电池伏安特性实验. 8 实验五 光敏三极管偏置电压实验. 11 实验六 光敏三极管光照特性实验. 12 实验七 光敏三极管负载特性实验. 13 实验八 光敏三极管伏安特性实验. 14 实验九 He-Ne 激光器光强分布及光束发散角测量实验. 15 实验十 光纤图像传输实验 . 18 实验十一 光电倍增管 PMT 实验 . 22 实验十二 透射式光开关实验 . 30 实验十三 反射式光电开关实验 . 31 实验十四 红外光电报警实验 . 32

7.1 氧化熔炼反应的热力学原理. 2 7.1.1 氧化反应的类型. 2 7.1.2 铁液中溶解元素氧化反应的  rGm 及氧势图 . 3 7.1.3 元素氧化的分配常数. 5 7.2 Mn、Si、Cr 的氧化反应. 5 7.2.1Mn 的氧化反应热力学. 6 7.2.2Si 氧化反应的热力学. 6 7.2.3 Cr 氧化反应的热力学. 7 7.3 脱碳反应. 9 7.3.1 碳氧化反应的热力学.10 7.3.2 脱碳反应过程的机理.12 7.4 脱磷反应.14 7.4.1 脱磷反应热力学.14 7.4.2 磷和碳的选择性氧化.16 7.4.3 溶渣中磷酸盐的还原.17 7.5 脱硫反应.17 7.5.1 炼钢脱硫反应的热力学.17 7.5.2 气化脱硫.18 7.7 脱氧反应.18 7.7.1 脱氧反应的热力学原理.19 7.7.2 脱氧产物的排出及被溶渣吸收.21 7.7.3 Mn、Si、Al 的脱氧反应.22 7.7.4 复合脱氧反应.25 7.7.5 脱氧剂用量的计算.25

采用单向凝固方法研究了氮对Fe-C-Si和Fe-C-Si-Mn灰铸铁初生奥氏体二次枝晶组织的影响.结果指出,氮使Fe-C-Si-Mn灰铸铁初生奥氏体二次臂间距减小,二次枝晶组织细化

通过X射线衍射、能谱、SEM金相等方法,对5种不同Ni含量样品的显微结构进行了分析,结果表明:Ni质量分数为0%的Fe3Si基合金都存在六方结构的含镍富硅Fe2Ti相析出;当Ni质量分数在0%-2%范围内变化时.Ni的添加对富硅Fe2Ti的析出影响很小;而当Ni增加到3%,Ni的添加急剧促进富硅Fe2Ti的析出;当Ni的添加超过一定量(约2%)时就能明显促进Fe3Si基合金的动态再结晶以及静态再结晶

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)