§2－1电阻分压电路和分流电路 §2－2 电阻单口网络 §2-3 电阻的星形联结与三角形联结 §2－4 简单非线性电阻电路分析 §2－5 电路设计，电路应用和电路实验实例

本试卷注意事项: 一、每小题10分,共100分 二、请将答案列明题号,写在答卷上,不要将答案写在试题卷上。 一、名词解释(每小题5分,共10分) 1.审计的健全性测试2.审计约定书 二、简答(每小题10分,共30分) (一)按照我国企业会计准则的要求,会计信息应满足哪些方面的什么要求? (二)简述审计证据的收集方法。 (三)什么是审计方法中的调节表法?请举例说明

异常分娩 定义 影响分娩的主要因素为产力、产道、胎 儿及精神心理因素,这些因素在分娩过 程中相互影响。任何一个或一个以上因 素发生异常以及四个因素间相互不能适 应,而使分娩进展受到阻碍,称异常分 娩(dystocia),又称为难产

第一节 系统评价原理 一、系统评价要素 二、系统评价的程序与方法 三、 综合评价指标与权重的确定 四、系统评价的主要方法 第二节 关联矩阵法 第三节 层次分析法 • 一、层次分析法概述 • 二、层次分析法的基本原理 • 三、层次分析法的步骤和方法 • 四、层次分析法的广泛应用 • 五、应用层次分析法的注意事项 第四节 模糊评价法

板料成形数值模拟概述 板料成形数值模拟概述 板料成形数值模拟概念 板料成形数值模拟的发展方向 板料成形概念 模拟分析流程 DYNAFORM软件介绍 分析参数设置 1.5 模拟分析流程 2.1 网格划分 2.2 毛坯尺寸的反向2.4 材料模型的定义计算 2.5 模具运动定义 等效拉延筋的设置 成形分析和回弹分析的方法 成形缺陷预测 板料成形数值模拟的应用 实例 影响成形质量的主要因素 接触碰撞现象 弹塑性变形现象 方形盒制件拉深成形的数值模拟

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

主要内容 ■引言:为什么要研究收入分配问题 收入分配与收入分配不平等 收入分配与经济增长 贫困问题 ■发展中国家的收入分配战略

以中碳结构钢大方坯及其热轧棒材为研究对象，通过对铸坯和轧材进行低倍侵蚀和成分分析，揭示了连铸控流模式对大方坯凝固组织与宏观偏析分布特征的影响及其铸轧遗传性。研究表明：常规直通水口浇注模式下，结晶器电磁搅拌(Mold electromagnetic stirring, M-EMS)电流由0增加到800 A，铸坯等轴晶率由6.06%仅可增加到11.71%，难以有效避免大方坯常见的中心缩孔缺陷与突出的中心线偏析。采用新型五孔水口浇注模式，即使不开启M-EMS，铸坯中心等轴晶率仍可达23.1%，大方坯中心缩孔级别可降至1.0级以下，满足后续热轧大棒材探伤要求。同时发现，五孔水口浇注模式下，大方坯铸态组织中往往会出现较为明显的柱状晶到等轴晶转变(Columnar to equiaxed transition, CET)区，铸坯断面碳偏析指数呈M型分布，表现为断面1/4位置CET区域碳偏析指数最高。大棒材轧制基本改变不了铸坯断面宏观偏析的分布形态，且可能导致中心线偏析指数增加。同时指出，基于连铸控流模式的作用规律和铸?轧遗传性特征，以及特殊钢长材热加工对中心致密度和偏析分布与程度的要求，实际生产中应从连铸工艺源头合理地控制铸态组织与宏观偏析分布形态

色谱是通过待分离的物质在流动相和固定 相之间分配比的差异进行分离(分析)的 方法

一、本章重点 1.证券市场两个经济指标分析。 2.证券投资动机及心理因素分析。 3.行业市场类型及影响因素分析。 4.证券市场“板块”比较分析