本章主要介绍了形位公差的研究对象；形位公差带及形位公差；形位公差的标注；公差原则与公差要求；形位公差的选择及其检测。国家标准规定了7种形位公差带，14个形位公差项目，这些形位公差项目在一定条件下还可互相替代，因此，形位公差的选择比较灵活，在同种工艺条件下可能会有不同的形位公差项目组合

数学辞典 常见的数字 十进制计数法 数位顺序表 四舍五入法 亿以内的数 亿以上的数 自然数 计算工具的发展历史比亿级更大的数...读多位数的方法读数口诀多位数写法四步曲分类练习古代常用的数字...记数法较大数的“改写...经典例题美国教材中的大...让数字告诉你阿拉伯数字的来历数的“分级”与...数的发展数和数字一样吗？四位数中有0的七...填适当的数万万为亿为什么以前中国...写数口诀有“0”的多位数...预防漏写多位数...最大的数大数单位读数法则写数法则 “数位”与“位数”报纸上的大数地球的基本参数格致算盘收藏馆结绳记事罗马数字哪个数位是关键？啤酒中的罗马数字契刻记数钱币中的罗马数字如果一个0都不读神奇圆算盘生活中的大数石子记数和文字计数手指计数算盘艺术品音乐中的罗马数字中国行政区面积表“1”字聚会小钟表的故事卓文君之“数字诗

第五节音位 音位是一种语言或方言中能区别意义的最小的语音单位。 一、音位的特征 例如:[a]】在汉语中不区别意义。 在法语中区别意义ptte(爪子)pate(浆糊) 1.音位是能区别意义的语音单位。 音素音质上的差别有两种性质: 一种是对立性差别汉语的/p/一/p/法语的/a/—ㄧ 一种是非对立性差别汉语的/a/—英语的/p//p/ 2音位是最小的语音单位。 3.音位总是属于某种特定的语言或方言的

位运算是指对二进制位进行的运算。每个二进制位中 只能存放0或1。因此,位运算就是对二进制数的运算。通 常,将一个数据用二进制数表示后,最右边的二进制位称 为最低位(第0位),最左边的二进制位为最高位

基于图像处理的方法，采用了由粗及精的瞳孔定位思想，提出了一种高精度的瞳孔定位算法。该算法首先利用瞳孔区域的直方图，采用改进的最大类间方差法自适应地分割瞳孔区域，实现粗略定位，然后利用瞳孔灰度的梯度特性来精确定位瞳孔边缘点，最后在像素级瞳孔边缘点的基础上，采用亚像素定位方法，更精确地求得亚像素级瞳孔边缘点，并通过椭圆拟合的方法来精确确定瞳孔的中心位置。另外，针对瞳孔被遮挡的情况，本文提出了一种等距离补偿瞳孔的方法。多次实验结果证明了该算法对遮挡瞳孔的定位有较强的鲁棒性，可以准确地定位瞳孔的位置

利用自制外控电位浮选槽研究了矿物粒度、矿浆pH值、外控电位大小等因素对黄铜矿和辉钼矿浮选行为的影响, 从而找到二者分离的条件并进行了铜钼混合精矿的外控电位浮选分离, 采用循环伏安测试和腐蚀电偶测试验证了上述试验结论. 研究结果表明, -150+31 μm的黄铜矿受外控电位影响大, 容易被抑制, 而辉钼矿则不容易被抑制. -31 μm的黄铜矿和辉钼矿可浮性均较差, 受外控电位影响较小. 外控电位浮选在碱性条件下进行有利于实现抑铜浮钼. 在pH值11的条件下, 抑铜浮钼的最佳分离外控电位为-1100~-700 mV(vs Ag/AgCl). 在pH值为11、外控电位-800 mV(vs Ag/AgCl)的条件下对多宝山铜钼混合精矿进行浮选分离, 经过一次浮选分离可得到钼回收率80.57%、铜回收率10.19%的钼粗精矿, 辉钼矿和黄铜矿的浮游差达到70.38%, 这使外控还原电位下浮选分离黄铜矿和辉钼矿成为可能. 另外, 腐蚀电偶测试结果表明: 黄铜矿和辉钼矿间的电偶腐蚀对于抑铜浮钼浮选有促进作用

利用透射电子显微镜, 通过构建位错环在不同晶带轴下的投影图结合位错环消光判据, 对室温注氢后Fe-9%Cr模型合金在400、500及550℃退火形成的1/2 〈111〉和〈100〉两种类型的位错环进行了表征. 实验结果表明, 室温注氢Fe-9%Cr合金中柏氏矢量为〈100〉型位错环的数量随着退火温度的升高而逐渐增加. 在400和500℃退火后, 〈100〉型位错环所占比例分别为16.48%、92.78%;当退火温度升高到550℃时, 位错环全部转变为〈100〉型位错环. Fe-9%Cr合金中位错环类型转变温度区间为400~500℃, 与纯铁相比, 添加Cr元素能够使位错环类型转变温度升高

授课主要内容 工件的定位是通过工件上的定位基准面和夹具上定位元件工作表面之间的配合 或接触实现的，一般应根据工件上定位基准面的形状，选择相应的定位元件。 一、工件以平面定位 工件以平面定位时，常用定位元件：固定支承、可调支承、浮动支承、辅助支 承

位运算是指对二进制位进行的运算。每个二进制位中 只能存放0或1。因此,位运算就是对二进制数的运算。通 常,将一个数据用二进制数表示后,最右边的二进制位称 为最低位(第0位),最左边的二进制位为最高位

11.1 配位化合物的基本概念 配位化合物的基本概念 11.2 配位化合物的类型和命名 配位化合物的类型和命名 11.3 配位化合物的异构现象 配位化合物的异构现象 11.4 配合物价键理论 配合物价键理论 11.5 晶体场理论 11.6 配位平衡 11.7 配位化合物的应用 配位化合物的应用