5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.1电荷 1.2库仑定律与叠加原理 1.3电场和电场强度 1.4静止的点电荷的电场及其叠加 1.5-6电通量高斯定理 1.7利用高斯定理求静电场的分布

1.1电荷 1.2库仑定律与叠加原理 1.3电场和电场强度 1.4静止的点电荷的电场及其叠加 1.5-6电通量高斯定理 1.7利用高斯定理求静电场的分布

一、选择题：(共 30 分) 1. 如题 6-1-1 图中所示为一沿 X 轴放置的“无限长”分段均匀带电直线，电荷线密度分别为 +λ(x＜0＝和-λ(x＞0)，则 Oxy 坐标平面上点(0，a)处的场强 E 为( )

问题1、高斯面只包围了部分电荷,求出的场强是这 部分电荷的场强还是整根均匀带电直线的场强? 问题2、对于一段有限长均匀带电直线段,能否用该方法 求其场强?

§1.1 电路的基本概念 1.1.1 电路的物理量 1.1.2 电路元件 (一) 无源元件 (二) 有源元件 §1.2 电路的基本定律 1.2.1 欧姆定律 1.2.2 克希荷夫定律 (一) 克氏电流定律（KCL） (二) 克氏电压定律（KVL）

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

第24章光的量子理论 24—1普朗克量子假说 24—2爱因斯坦的光子学说 第25章玻尔的原子量子理论 25—1氢原子光谱的实验规律 25—2玻尔氢原子量子论 25—3玻尔氢原子理论

4)可以证明:厄米算符的本征矢满足完备性条件, ∑|)(l=1 或∫d)(|=1 或∑1+」d1f=1 构成H语ert空间的一组正交归一的基矢。 5.两组基矢之间的变换(表象变换) 正如在3维空间中可选择直角坐标系,也可以选择球坐标系、柱坐标系一样

第一篇 光学镜头加工制作实验 . 1 实验一 光学镜头综合实验. 1 实验二 透镜铣磨机使用实验. 21 实验三 圆弧球心型小口径镜片研磨机. 28 实验四 六轴弧摆抛光机. 31 第二篇 光通信无源器件制作实验 . 36 实验五 光纤端面处理耦合及熔接实验 . 36 实验六 光纤跳线制作实验. 40 实验七 熔融拉锥制作光纤耦合器实验 . 69