• §1.1 信号与系统 • §1.2 信号分类与典型确定性信号 • §1.3 冲激函数、广义函数 • §1.4 信号分解 • §1.5 系统分类 • §1.6 线性系统

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3.1 引言 3.4 随参信道 3.2 信道数学模型 3.5 信道容量 3.3 恒参信道 3.6 信道噪声

3.1 引言 3.4 随参信道 3.2 信道数学模型 3.5 信道容量 3.3 恒参信道 3.6 信道噪声

1．调频、调相——统称调角 调频（FM）：用调制信号去控制高频振荡频率，使高频振荡的瞬时频率随调制信号规律作线性变化的过程。 调相（PM）：用调制信号去控制高频振荡相位，使高频振荡的瞬时相位随调制信号规律作线性变化的过程

一.填空(每空1分,共20分) 请按下面空中的编号顺序写出答案。 1.设一离散无记忆信源的输出由四种不同的符号组成,它们的出现概率分别为1/2、1/4、 1/8、1/8,则此信源平均每个符号包含的信息熵为bit符号若信源每毫秒发出一 个符号,那么此信源平均每秒输出的信息量为②bits

一、细胞跨膜信号转导的概念 信号:含有信息内容的一种物质或刺激 人体内的信号:存在于细胞外液中含有信息内容的化学物质,或机械的、电的、电磁波等刺激

2.1 物理层的基本概念 *2.2 数据通信的基础知识 2.2.1 数据通信系统的模型 2.2.2 有关信道的几个基本概念 2.2.3 信道的最高码元传输速率 2.2.4 信道的极限信息传输速率 2.3 物理层下面的传输媒体 2.3.1 导向传输媒体 2.3.2 非导向传输媒体 2.4 模拟传输与数字传输 2.4.1 模拟传输系统 *2.4.2 调制解调器 *2.4.3 数字传输系统 *2.5 信道复用技术 2.5.1 频分复用、时分复用和统计时分复用 2.5.2 波分复用 2.5.3 码分复用 *2.6 同步光纤网SONET和同步数字系列SDH 2.7 物理层标准举例 2.7.1 EIA-232-E接口标准 2.7.2 RS-449接口标准

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

2.2 数据通信的基础知识 2.2.1 数据通信系统的模型 2.2.2 有关信道的几个基本概念 2.2.3 信道的极限容量 2.2.4 信道的极限信息传输速率 2.3 物理层下面的传输媒体 2.3.1 导向传输媒体 2.3.2 非导向传输媒体 2.4 信道复用技术 2.4.1 频分复用、时分复用和统计时分复用 2.4.2 波分复用 2.4.3 码分复用 2.5 数字传输系统 2.6 宽带接入技术 2.6.1 xDSL技术 2.6.2 光纤同轴混合网（HFC 网） 2.6.3 FTTx 技术