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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术
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3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性
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1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管
文档格式:PDF 文档大小:9.69MB 文档页数:1085
Chapter 1 Introduction to Computers and C++ Programming Chapter 2 C++ Basics Chapter 3 More Flow of Control Chapter 4 Procedural Abstraction and Functions That Return a Value Chapter 5 Functions for All Subtasks Chapter 6 I/O Streams as an Introduction to Objects and Classes Chapter 7 Arrays Chapter 8 Strings and Vectors Chapter 9 Pointers and Dynamic Arrays Chapter 10 Defining Classes Chapter 11 Friends, Overloaded Operators, and Arrays in Classes Chapter 12 Separate Compilation and Namespaces Chapter 13 Pointers and Linked Lists Chapter 14 Recursion Chapter 15 Inheritance Chapter 16 Exception Handling Chapter 17 Templates Chapter 18 Standard Template Library Appendices 1 C++ Keywords 2 Precedence of Operators 3 The ASCII Character Set 4 Some Library Functions 5 Inline Functions 6 Overloading the Array Index Square Brackets 7 The this Pointer 8 Overloading Operators as Member
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一、 前期研究历史 生物传感器研究和开发的目的是向社会提供采用生物传感器原理的新仪器和分析控制方法,它们可以广泛地应用 于临床诊断和监护、食品分析、工业控制和环境状态的监测。 我们生物传感器的研究起步于 1983 年[1]。1986 年山东省科委鉴定了第一项生物传感器成果:\血糖速测仪的研制 \,它采用氧电极作生物反应中的换能器,以葡萄糖氧化酶为活性材料,用流动注射的方式实现分析流程(图 1)
文档格式:PDF 文档大小:8.88MB 文档页数:402
上篇:第一章 微波传输线 第二章 微波网格基础 第三章 阻抗匹配 第四章 微波无源器件 第五章 空腔谐振器 第六章 微波滤波器 第七章 微波铁氧体器件 下篇:第一章 辐射的基本原理 第二章 天线的电参数及接收天线 第三章 对称摄子 第四章 阵列天线 第五章 面天线的基本理论 第六章 喇叭天线 第七章 反射面天线
文档格式:PDF 文档大小:935.58KB 文档页数:7
采用TIG熔-钎焊焊接方法,以镁合金焊丝为填充材料,对镁合金与镀锌钢进行连接实验,并分析热输入量对接头显微组织和力学性能的影响.热输入量过小会阻碍镁/钢界面反应层的形成而使得焊缝难以焊合,热输入量过大又会促进焊缝内部脆性第二相的长大,降低接头力学性能.接头强度随着焊接电流和焊接速度的增大都呈现先上升后下降的趋势,电流为70 A时强度达到最大,该值接近AZ31B母材的88.7%.此时断裂发生于焊缝熔焊区,断面出现大量韧窝和撕裂棱,呈现出塑性断裂特征
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本工作研究了添加元素Te、In、Sn、Al和Ni对内氧化Ag-4-8.5wt%Zn合金组织和性能的影响。少量Te或Te、In、Sn均能改善合金组织状态,使合金中氧化物呈粒状而且分布均匀;Al、Ni则不能改变这类合金中氧化物的针状特征。结果指出,添加适当的元素和控制ZnO含量能获得高抗熔焊性、高抗腐蚀性和低的接触电阻等开关特性优异的触头材料
文档格式:DOC 文档大小:1.31MB 文档页数:91
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