一,光的干涉 1 理解相干光的条件及获得相干光的方法. 2 掌握光程的概念以及光程差和相位差的关系，理解在什么情况下的反射光有相位跃变. 3 能分析杨氏双缝干涉条纹及薄膜等厚干涉条纹的位置

2.1 概述 2.1.1 计算机体系结构的基本概念 2.1.2 Pentium微处理器的工作模式 2.2 实模式寄存器结构 2.2.1 段寄存器与存储器分段 2.2.2 指令指针寄存器 2.2.3 通用寄存器 2.2.4 标志寄存器 2.3 实模式内存地址空间组织 2.3.1 内存地址空间和数据组织 2.3.2 逻辑地址与物理地址 2.3.4 堆栈操作 2.4 实模式输入/输出地址空间

7.1 文件系统的概念 7.2 文件的逻辑结构与存取方法 7.3 文件的物理结构与存储设备 7.4 文件存储空间管理 7.5 文件目录管理 7.6 文件存取控制 7.7 文件的使用 7.8 文件系统的层次模型

实验1 陶瓷粉体的测试实验 实验2 烧结体的物理性能检测实验 实验3 热压注成型 实验4 丝网印刷 实验5 流延成型 实验6 甲基丙烯酸甲酯的本体聚合 实验7 醋酸乙烯酯的乳液聚合实验

引起磁通量变化的原因 （1）稳恒磁场中的导体运动 , 或者回路面积变化、取向变化等 动生电动势 (2）导体不动，磁场变化 感生电动势

3.7 卡诺循环 (Carnot cycle) 3.8 致冷循环 4.1自然过程的方向性 4.1自然过程的方向性 4.3热力学第二定律及其微观意义 4.4 热力学概率与自然过程的方向性 4.5 玻耳兹曼熵公式与熵(entropy)增加原理 4.6 可逆过程

一、导体、绝缘体、半导体 二、制造半导体器件的材料 1-1 半导体物理基础知识 1-2 PN结 1-3 晶体二极管及其基本电路

12-2若在下缝处置一折射率为n厚度为t的透明薄膜,则光从下缝到屏上的光程将增加 (n-1)t,屏上的条纹均要向下移动。依题意中央明条纹多到屏中心下方原来第3级明 条纹位置,则从双缝到该位置的光程差

金溶胶浓度为2gdm3介质粘度为0.001Pas.已知胶粒半径为1.3nm,金的密度为19.3×103kgm 计算金溶胶在25°℃时(1)扩散系数(2)布朗运动移动0.5mm需多少时间(3)渗透压

一. 单缝夫琅和费衍射 1. 装置： 光源置于 L1的焦点上，屏置于 L2的焦平面上。缝宽a: 其上每一点均为子波源，发出衍射光线衍射角 ： 衍射光线与波面法线夹角