第三章有机反应活性中间体 (Reactive intermediates) 一.正碳离子(Carbocations) (一).正碳离子的结构 (二).正碳离子的稳定性 取代基效应的影响 溶剂效应的影响 (三).正碳离子的生成 1.直接离子化 2.正离子对不饱和分子的加成 3.由其它正离子转化

一、整流器的结构形式、工作原理，分析整流器的工作波形，整流器各参数的数学关系和设计方法; 二、整流器工作在逆变状态时的工作原理、工作波形。 三、变压器漏抗对整流器的影响、整流器带电动机负载时的机械特性、触发电路等内容

采用ZrN作为添加剂热压烧结的Si3N4陶瓷材材料进行了透射电子显微镜观察和能谱EDS分析。观察结果表明:烧结的陶瓷中由于晶界残留的玻璃相数量较少,主要分布在三晶粒间界处,从而显著改善了Si3N4材料的高温性能;在这种材料中有许多弥散分布的ZrN相存在,可阻碍裂纹扩展,也起着提高Si3N4材料的强度和韧性的作用;用高分辨电子显微术观察到α’-Si3N4晶粒中存在不同的超结构

二叉树的建立 建立二叉树的过程是一个“插入”过程,下面我们用 个例子来讲解这一过程。 我们想建立这样一棵二叉树,树中的每一个结点有 个整数数据名为data,有两个指针:左指针L,右指 针R,分别指向这个结点的左子树和右子树,显然可 以用如下名为TREE的结构来描述这种结点:

以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值

以水玻璃为硅源,甲酰胺为催化剂,乙二醇为干燥控制化学添加剂(DCCA),采用溶胶-凝胶法常压下干燥制备了硅石气凝胶粉体．研究发现：微过量的甲酰胺,有利于高孔隙率气凝胶的合成；过量的乙二醇的引入不利于低密度气凝胶的形成；pH值对合成气凝胶的性质也有较大的影响．经二甲基二乙氧基硅烷(DMDEOS)表面改性处理后的气凝胶表现出了很好的疏水性能．采用傅里叶变换红外分析(FTIR)、热重分析(TG)、示差扫描量热分析(DSC)等对疏水型气凝胶的结构和性能进行了研究．

一、填空 1、“语法”这个术语有两个含义:一个指另一个指 2、汉语的主要语法手段是 3、造成句法多义的因素有三个 4、从语法功能上看,句法结构可以分为三类

一、复习提问 1. MCS-51有哪些算术运算指令？ 2.增量指令与加法指令有什么不同？ 二、新授 由任务四：单片机作逻辑运算引入本次课内容

全真模拟试题(二) 一、单项选择题(在每个小题的4个备选答案中,选出正确的答案,并将其号码填在题后的括号内。每小题2分,共24分) 1.一个具有n个顶点的无向完全图的边数为() ①n(n+1)/2②n(n-1)/2③n(n-1)④n(n+1)

研究了Co掺杂对还原氧化石墨烯(RGO)/Fe3O4复合材料结构、形貌和吸波性能的影响规律.采用一步水热法分别制备RGO/Fe3O4和Co掺杂的RGO/Fe3O4复合材料,通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱分析Co掺杂对复合材料的微观形貌、相组成及表面元素价态的影响;利用矢量网络分析仪测定两种复合材料在2~18 GHz频率范围内的相对复介电常数和复磁导率,模拟计算了Co掺杂对RGO/Fe3O4复合吸波性能的影响规律.结果表明:部分Co参与了水热反应生成了CoCO3、Co3O4和Co2O3,还有部分Co以单质形式存在,其通过正负电荷吸引机制,影响Fe3+在氧化石墨烯(GO)表面的配位,使得负载在还原氧化石墨烯(RGO)表面的Fe3O4纳米颗粒部分迁移至RGO片层间;Co掺杂改善了复合材料的导电能力和磁损耗能力,使复合材料的吸波能力显著增强.反射率模拟结果表明:掺杂后与掺杂前相比,当匹配厚度d=2.00 mm时,最大反射损耗提高3.44 dB,有效吸收频带拓宽2.88 GHz;当匹配厚度d=2.50 mm时,最大反射损耗提高8.45 dB,有效吸收频带拓宽2.73 GHz.Co掺杂对RGO/Fe3O4复合材料的结构和形貌有显著影响,并有效改善复合材料的吸波性能