采用乳液聚合法,合成了聚甲基丙烯酸甲酯(MMA)-苯乙烯(St)/聚丙烯酸乙酯(EA)-丙烯酸丁酯(BA)的丙烯酸酯系互穿网络聚合物(IPNs)系列乳液,使用磷钨酸(PTA)负染技术将乳液粒子染色,使用透射电子显微镜(TEM)观察乳液粒子的微观形貌,对乳液微粒微观互穿网络壳-核结构的形成过程进行了研究.结果表明,网络质量配比、溶胀时间以及溶胀方式等因素均对乳液粒子微观形貌的形成产生显著影响;网络质量配比是决定乳液粒子大小的重要因素之一,溶胀时间影响互穿网络壳结构的厚度,溶胀方式影响乳液的成膜性能

从Lorents固态电子理论出发,导出一能隙的近似计算公式,表明固体的电子态和晶体结构决定了固体的能隙。对碱土金属复卤化物的能隙进行了计算,结果合理。同时考虑电负性差和原子间距,对传统化学键离子性进行了修正。计算结果和理论分析都表明,修正后的离子性能更合理地表征化合物的化学键性质

1、了解功率放大电路的主要性能指示 2、掌握甲类、乙类、甲乙类功放大电路的输出功率及效率的计算 3、理解集成功放电路的结构特点 4、掌握复合功放管的放大倍数的计算

采用粉末注射成形和无压烧结相结合的工艺制备AlN-BN复相陶瓷,讨论了AlN-BN混合料的流变性能以及BN含量对复相陶瓷热导率、硬度以及显微组织的影响.研究结果表明,AlN-BN混合料具有良好的流动性和较小的温度敏感性,适宜陶瓷注射成形.复相陶瓷的热导率、致密度以及硬度随着BN含量增加而降低,主要是由于BN本身具有较低的硬度和热导率以及在烧结过程中形成特殊的卡片房式结构阻碍了AlN烧结致密化造成的.综合考虑热导率和可加工性能的要求,最佳的BN质量分数在10%~15%之间,所制备的复相陶瓷的热导率大于120W·m-1·K-1,硬度低于HRA80,致密度大于90%

采用5Cu-9.5NiO-85.5NiFe2O4金属陶瓷阳极在不同的低温铝电解质体系中进行测试.用扫描电镜和X射线衍射对电解后阳极的微观结构进行研究;用电感耦合等离子体原子发射光谱测定电解后产品铝和电解质中杂质元素含量,计算并比较不同电解质组成条件下的阳极腐蚀速率.结果表明:向Na3AlF6-30AlF3体系添加质量分数约为20%的K3AlF6,该阳极表现出好的耐腐蚀性能

4.1 概述 4.2 存储器的层次结构 4.3 高速缓冲存储器（Cache) 4.4 存储介质 1.存储器的分类 2.存储器的层次结构 3.半导体存储芯片的译码方式（线选法、重合法）及其特点 4.存储器的性能指标 5.SRAM的工作原理 6.DRAM的工作原理 7.DRAM的刷新方式及其特点 8.磁表面存储器的记录方式 9.硬盘记录格式中的几个概念—盘面、磁道、扇区、柱面等 10.几种主要辅存的特点 11.CRC校验

以氙灯为光源,对丙烯酸聚氨酯涂层/碳钢体系进行人工加速老化实验,用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、光学显微镜和光泽仪对老化的涂层进行分析表征,用盐雾实验测试涂层老化后的防腐性能,初步探讨了光辐射对涂层保护性能的影响.结果表明,不同老化周期的体系在盐雾实验后,表面涂层的保护状态均基本完好,但膜下金属腐蚀程度随老化时间的增加而加剧.其原因是:光辐射使涂层中C—N键断裂,且随老化时间的延长,涂层表面粗糙程度增加,光泽度下降;涂层化学结构及表面状态的变化加速了腐蚀介质在涂层中的渗透,从而导致膜下金属腐蚀加重

§5.1 概述 1）受力破坏分析 2）影响斜截面受力性能的主要因素 3）斜截面破坏的主要形态 §5. 2 受弯构件斜截面设计方法 1）基本原则 2）计算公式 §5.3 纵向受力钢筋的弯起与截断 1）纵向钢筋的弯起 2）纵向钢筋的截断和锚固 §5.4 箍筋和弯起钢筋的一般构造要求 1）箍筋的构造要求 2）弯起钢筋的构造要求 §5. 5受弯构件斜截面受剪承载力计算步骤 1）截面设计 2）复核截面

研究了在晶态Ni-P合金刷镀液中添加稀土后,镀层组织结构上的变化,X射线衍射及透射电子衍射分析表明:在镀液中添加一定量的稀土可显著提高镀层中的非晶态组织比例,其变化规律与相应的镀层耐蚀性能变化规律是一致的,并讨论了可能的机理

利用ANSYS有限元软件模拟分析了树脂复合轻质极的弯曲成形性能.轻质板是夹层板,弯曲过程中,外层钢板易产生相对错动量.因此对轻质板内部的应力应变状态进行分析,研究模具参数和板料的复合结构以及中间层树脂的材料参数对错动量的影响,同时对弯曲后的回弹和剪切应力的情况进行了分析