一、晒干及风干 二、空气对流干燥 箱式干燥； 隧道式干燥；输送带式干燥；喷雾干燥；气流干燥；流化床干燥；喷动床干燥 三、传导干燥 回转干燥；滚筒干燥；真空干燥；冷冻干燥 四、能量场作用下的干燥 电磁场中的干燥；声波场中的干燥

4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

一、点电荷之间的相互作用能 二、电荷连续分布情形的静电能 三、电场的能量和能量密度 四、电荷或电荷组在外电场中的能量 五、磁场的能量和能量密度

运用电磁学和热流体学的方法研究了直流大阳极喷嘴长电弧通道等离子体炬中电弧的行为,并通过实验证明了温度梯度与电场梯度作用于流体时所产生的特殊现象;结果表明:电弧弧柱的高温效应剧烈排斥冷气流的混入,使CVD过程受到抑制.新产生的胶体粒子在热泳现象作用下逐渐沉积于通道内壁上.改变不同气体的进气位置以及减小温度与电场梯度并增设径向旋转磁场,可有效地解决上述问题

7.1同步扫描电路概述 7.2同步分离与抗干扰电路 7.3行扫描电路 7.4场扫描电路 7.5电视机典型集成行场扫描电路分析 7.6同步扫描电路常见故障分析

1.4场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

第零章 预备知识—矢量场论复习 第一章 电磁现象的普遍规律 第二章 静电场 第三章 静磁场 第四章 电磁波的传播 第五章 电磁波的辐射 第六章 狭义相对论

一、MOS场效应管的特点 二、场效应管的等效电路（模型） 三、MOS管三种基本放大电路 四、MOS恒流源负载 五、MOS管电流源 六、MOS管单级放大器 七、MOS管差分放大电路 八、CMOS管功率放大电路 九、MOS模拟开关

在奥赛考纲中,静电学知识点数目不算多,总数和高考考纲基本相同,但在个别知识点上 奧赛的要求显然更加深化了:如非匀强电场中电势的计算、电容器的连接和静电能计算、电介质 的极化等。在处理物理问题的方法上,对无限分割和叠加原理提出了更高的要求 如果把静电场的问题分为两部分,那就是电场本身的问题、和对场中带电体的研究,高考考 纲比较注重第二部分中带电粒子的运动问题,而奥赛考纲更注重第一部分和第二部分中的静态问 题。也就是说,奥赛关注的是电场中更本质的内容,关注的是纵向的深化和而非横向的综合