2.1集成电路运算放大器 2.1.1电路如图题2.1.1(主教材图2.1.3)所示,运放的开环电压增益 A。=10°,输入电阻7=10°,输出电阻rn=750,电源电压V.=+10V, V.=-10v。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值tp-v=?

3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正 向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其 中n=1,Vr=26mV

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

 直角坐标系中的分离变量法  圆柱坐标系中的分离变量法  球面坐标系中的分离变量法

61模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1电路如图题6.1.1所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行 偏置。设β>1,求电流l的值。若rn(rn)=100k9。试比较该电路与分立元件 电路的优点。设Vc=-vE=10V,v=0.6V

• 真空中的场 – 安培定律 – 通量与散度 – 环量与旋度 – 矢量磁位 • 介质中的场 – 磁偶极子

• 电流与电荷 – 电流密度 – 电荷守恒定律 – 欧姆定律 – 焦耳定律 • 恒定电流的电场 – 基本方程 – 边界条件 • 静电比拟法

• 介质中的电场 • 边界上的电场 • 电容 • 导体系统的电容 • 电场能量 • 电场力

8.1功率放大电路的一般问题 8.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放大电路效率最高?

• 矢量场的通量与散度 – 矢量场的通量 – 矢量场的散度 • 矢量场的环量与旋度 – 矢量场的环量 – 矢量场的旋度 • 曲线坐标系 • 亥姆霍兹定理