• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

• 电流与电荷 – 电流密度 – 电荷守恒定律 – 欧姆定律 – 焦耳定律 • 恒定电流的电场 – 基本方程 – 边界条件 • 静电比拟法

1.一个半径为 R 的电介质球 极化强度 P=K 2 r r 电容率为 (1)计算束缚电荷的体密度和面密度 (2)计算自由电荷体密度 (3)计算球外和球内的电势 (4)求该带电介质球产生的静电场总能量

§1-1 电荷守恒 §1-2 库仑定律 §1-3 叠加原理 §1-4 电场强度 §1-5 高斯定理 §1-6 环路定理 §1-7 电势

◼ §8-1 概述 ◼ §8-2 电晕放电 ◼ §8-3 电场 ◼ §8-4 粉尘荷电

一、导体 讨论导体中静电平衡条件下的 电荷分布、电场分布和电势分布 E=0,U=常数 导体静电平衡条件:表面为等势面,外部法线 由高斯定理推论:

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

一、引言与准备 1、循环关系 欲求介质中E→则需E∵E=E+E需p需 (p.ds=-q,或p=-V.P、o=Pn)需知EP=oxE),返 回,出现循环。 表明:极化原因(E:自由电荷激发的外场、E:总场)和极化效果(E :由束缚电荷q激发)之间有反馈联系

 1 恒定电流的电场  2 磁场与磁感应强度  3 磁通连续性原理  4 真空中的安培环路定律  5 磁介质的磁化与安培环路定律的一般形式  6 恒定磁场的基本方程和边界条件  7 磁标位  8 电感  9 磁场能量

非静电力: 能不断分离正负电 荷使正电荷逆静电场力方向运动. 电源：提供非静电力的装置. 非静电电场强度Ek: 为单位正电荷所受的非静电力