利用量子化学的SCF-Xα-SW电子结构计算方法,计算得到了RE4Cr2O9(RE=La,Pr, Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,Er)等体系的电子态密度分布、费米能和能隙宽度等电子结构参数,并结合 RECrO3导电陶瓷的导电特征,分析了导电性能和电子结构参数之间的关系.研究表明:随着RE原子序数的增加,其费米能附近的态密度依次增大,主要为f电子,非f电子数量逐渐减少,因此,参与导电的电子应与f电子无关.这是RECrO3导电陶瓷电导率随RE原子序数增大而下降的主要原因

采用数值分析方法,分析工作温度、扁排与环境的换热量、载流量等工作条件对铜包铝扁排导电性能的影响.结果表明:当扁排工作温度升高时,交流功率损耗增加的比值小于直流电阻增大的比例;当包覆层断面结构相同时,扁排可承载的平均电流密度随断面面积的增大而减小;采用单位长度直流电阻相同的铜包铝导电扁排替代铜扁排,在节省铜资源和原材料成本的同时,铜包铝扁排可承载的最大载流量增加,功率损耗和工作温度降低

本工作用自行设计、安装的电子工作线路,用抽氧法（又称极化电动势法）测定了国产氧化锆固体电解质（含CaO重量为4%）的电子导电特征氧分压。测定结果为:\\[{\\mathop{\\rm l}\\nolimits} {\\rm{gPe' = 21}}{\\rm{.49 - }}\\frac{{{\\rm{69336}}}}{{\\rm{T}}}\\]在1600℃时,Pe'=10-15·53大压。实验证明,所用的方法和装置能夠方便、准确地测量固体电解质的特征氧分压Pe'文章最后讨论了固体电解质电子导电对浓差电池定氧的影响和减少误差的途径

一．基本概念： 1． 半导体材料、本征半导体、载流子、杂质半导体（N 型、P 型）及其导电性能 2． PN 结及其 PN 结的单向导电型 3． 二极管、三极管的结构、分类、输入输出特性（曲线）、常用参数

内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、参数 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管和场效应管

以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值

对φ5mm的进口Al-1%Si合金棒材的段料在不同温度下保温12h,水淬处理.通过对不同条件下得到的再结晶组织进行对比研究,分析了该材料再结晶规律,提出了其优化热处理工艺.结果表明:该材料原有的等轴晶组织转变为塑性和导电性能良好的单晶组织

半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管

1911年,荷兰莱顿大学的卡茂林昂尼斯意外地发现,将汞冷却到-268.98℃时,汞的 电阻突然消失;后来他又发现许多金属和合金都具有与上述汞相类似的低温下失去电阻的 特性,由于它的特殊导电性能,卡茂林昂尼斯称之为超导态.卡茂林由于他的这一发现获 得了1913年诺贝尔奖. 1933年,荷兰的迈斯纳和奥森菲尔德共同发现了超导体的另一个极为重要的性质,当 金属处在超导状态时,这时超导体内的磁感应强度为零,在对单晶锡球进行实验发现:锡 球过渡到超导态时,锡球周围的磁场突然发生变化,磁力线似乎一下子被排斥到超导体之 外去了,人们将这种现象称之为“迈斯纳效应” 为了寻找更适于应用的超导材料,几十年来,物理学家广泛搜查各种元素的低温特 性.除了汞、锡和铅以外,又发现铟

5.2.1能带结构 5.2.3导电材料与电阻材料 5.2.4其他材料的导电性能