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清华大学:《数字逻辑与数字集成电路电路》课程教材电子教案(PPT教学课件,第2版)第二章(2.2)逻辑函数的表格法化简(Q-M法)
文档格式:PPT 文档大小:2.32MB 文档页数:53
一、卡诺图化简法直观方便,过程简单明了,但只适合于变量数<=4的函数。 二、Q-M(Quine-McCluskey) 法和卡诺图法的化简思路是一致的:两相邻最小项可以合并,消去一个变量. [1952,1956]
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源(考试试卷)数字集成电路原理与设计
文档格式:PDF 文档大小:192.26KB 文档页数:7
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程教学资源(考试试卷)数字集成电路原理与设计
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap2-1 第二章 集成电路制作工艺(2.1.2-2.2.2)
文档格式:PDF 文档大小:6.41MB 文档页数:56
2.1.2 MOS结构和分类 2.2.1 N阱CMOS工艺 2.2.2 深亚微米CMOS工艺
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)课堂讨论1
文档格式:PDF 文档大小:212.25KB 文档页数:4
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)课堂讨论1
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)课堂讨论3
文档格式:PDF 文档大小:169.41KB 文档页数:8
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)课堂讨论3
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap3-1 第三章 长沟道MOS器件模型
文档格式:PDF 文档大小:4.42MB 文档页数:70
3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.1 反相器直流特性
文档格式:PDF 文档大小:1.59MB 文档页数:20
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.1 反相器直流特性
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.11 功耗
文档格式:PDF 文档大小:1.5MB 文档页数:35
功耗来源 影响因素
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.3 反相器的设计
文档格式:PDF 文档大小:795.35KB 文档页数:25
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.3 反相器的设计
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北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 静态CMOS逻辑电路 4.5 复杂逻辑门
文档格式:PDF 文档大小:1.06MB 文档页数:24
北京大学:《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案(数字集成电路原理与设计)chap4-1 第四章 CMOS单元电路 静态CMOS逻辑电路 4.5 复杂逻辑门
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