第七章 食品污染及其预防 食品污染：是指在各种条件下，导致有毒有害物质进入到食物，造成食品安全性、营养性和/或感官性发生改变的过程。 第八章 食品添加剂 定义：是指为改善食品品质和色、香、味以及防腐和加工工艺的需要而加入食品中的化学合成或天然物质。 第九章 食品新技术及其卫生学问题 第一节 概述 第二节 超高压技术及其卫生学问题 第三节 膜分离技术及其卫生学问题 第四节 微胶囊化技术及其卫生学问题 第五节 微波技术及其卫生学问题 第六节 转基因技术及其卫生学问题 第七节 酶工程技术及其卫生学问题 第八节 新技术食品的卫生监督与管理 第十章 各类食品卫生及其管理 第一节 粮豆、蔬菜、水果的卫生及管理 第二节 畜、禽肉及鱼类食品的卫生与管理 第三节 奶及奶制品的卫生及管理 第四节 食用油脂的卫生及管理 第五节 罐头食品的卫生及管理 第六节 酒类的卫生及管理 第八节 调味品的卫生及管理 第八节 保健食品

管道内气液两相流广泛存在于核工业、化工业以及石油运输等多个领域中，其诱发的流激力会引起管道振动，导致管系的疲劳破坏。本文分别从流激力发生机理、影响因素及计算模型出发，对流激力研究进展进行综述。研究表明：动量通量的改变被认为是引起流激力的最主要原因，管道内压力波动、液塞的脉动冲击、起伏不定的液波等因素同样会对流激力的产生做出贡献，针对不同流型建立完整的流激力发生机理的理论体系，是流激力机理研究方面的重点发展方向。在不同流型下，流激力展现出不同的波动特征，目前研究所针对的管道大多是单独的水平管或立管管道，开展多种集输–立管管道系统中流激力的研究将具有重要的工程意义。关于流激力经验模型和理论模型的建立逐渐完善，计算流体力学（Computational fluid dynamics，简称CFD）软件能够同时对流场和流激力大小进行模拟计算，优势明显，是一种重要的计算手段，对CFD软件计算结果的准确性进行研究，对比优选有效的CFD计算模拟方法，将具有重要科研价值

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

第一章导论、第二章银行存款的组织与管理、第三章银行其他资金来源的组织与管理、第四章银行贷款原则与政策、第五章银行贷款组织管理的一般规定、第六章银行信贷方式、第七章流动资金贷款的组织与管理、第八章固定资金贷款的组织与管理、第九章农业贷款的组织与管理、第十章外汇贷款的组织与管理、第十一章科技开发贷款的组织与管理、第十二章银行贷款的风险管理、第十三章企业信用分析与贷款项目评估

旅游区管理是旅游管理的主要内容之一，本课程教学目的旨在丰富完善旅游管理专业研究生的专业知识，使研究生得到旅游区管理理论与方法的学习与锻炼。通过学习，要求研究生掌握旅游区管理的理论专业知识，能将课程中所学的旅游区管理理论与方法应用于研究实践，具备分析问题、解决问题的基本技能，从而支撑旅游管理专业硕士研究生培养目标的实现

第一节管理与管理系统 第二节管理主体——管理者 第三节管理客体—管理对象与管理环境 第四节管理作用方式一管理机制与管理方法

第一节管理的概念 一、管理的基本概念和基本特征 管理有不同的解释: 西蒙(Herbert, Simon)认为:“管理就是决策 过程学派认为:“管理就是计划、组织、控制等 活动的过程。” 小詹姆斯H.唐纳利等人指出:“管理就是由一个 或者更多的人来协调他人的活动,以便收到个 人单独活动所不能收到的效果而进行的活动 ”强调行为科学的人认为:“管理就是通过其他人 来完成工作

6.1保管方式 6.1.1保管的定义和功能 简单地讲,保管是某一时期储存的货物,按一定的数量和质量要求进行适当的管理。一般情况下,生产与消费之间均有时间差,保管的主要功能就是在供应和需求之间进行时间调整。如今,除了产生时间效益外,保管还具有缓冲供需、调节价格、衔接运输与配送以及集货、分货、检验、理货的功能

第一篇 绪论 第一章 管理学的研究对象和体系结构 第二章 学习管理学基础的意义和方法 第二篇 管理理论发展历程 第三章 古代管理思想 第四章 近代管理理论 第五章 现代管理理论及发展 第三篇 管理的基本原理和原则 第六章 系统原理 第七章 控制原理 第八章 人本原理 第九章 效益原理 第四篇 管理的要素和职能 第十章 管理的要素 第十一章 决策 第十二章 计划 第十三章 组织 第十四章 领导 第十五章 激励 第十六章 控制 第十七章 信息沟通

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)